高炉内直接还原温度开始在()。A.800～1000℃B.高于1100℃C.高于570℃
高炉内直接还原温度开始在( )。A.570℃B.800～1000℃C.高于1100℃D.260℃
高炉内温度高于1000℃时，( )反应明显加速，故常把1000℃等温线作为高炉直接还原和间接还原区域的分界线。
高炉内炉身下部直接还原温度开始在（）。A、570℃B、800—1000℃C、高于1100℃
高炉内低于（）是间接还原区，（）是共存区，高于（）是直接还原区。
高炉内还原过程（）温度范围是间接还原与直接还原的共存区。A、570～800℃B、800～900℃C、800～1100℃D、1100℃
高炉直接还原的开始温度为（）。A、＞570℃B、800～1100℃C、＞1100℃D、﹤570℃
高炉上除风口前循环区是氧化气氛外，其他区域均是还原气氛。
高炉内直接还原的开始温度在（）。A、高于570℃B、800～1000℃C、高于1100℃D、高于1500℃
根据温度不同，高炉内还原过程划分为三个区，低于（）℃的块状带是间接还原区；（）℃的是间接还原与直接还原共存区；高于（）℃的是直接还原区。
高炉内的还原过程划分三个区：低于800℃的块状带是间接还原区；800-1100℃是间接和直接还原的共存区；高于1100℃是直接还原区。
高炉内的直接还原度与高炉内铁的直接还原度有何区别？
炉内低于800℃区域是哪种还原为主（）。A、直接还原B、间接还原C、二种还原均存在D、二种还原均不存在
关于高炉内Si的还原叙述正错误的是（）A、Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行B、提高炉温有利于Si的还原C、提高炉渣碱度有利于Si的还原D、高压操作利于冶炼低硅生铁
在高炉内（）810℃的区域内H2的还原性比CO强。A、大于B、小于C、等于
高炉内直接还原温度开始在（）。A、800～1000℃B、高于1100℃C、高于570℃
高炉内（）℃的区域为直接还原区。A、小于800B、800-1100C、大于1100D、大于1350
高炉内直接还原温度开始在（）A、低于570℃B、高于570℃C、800-1100℃D、高于1100℃
根据炉内温度不同，高炉内还原过程划分为三个区：低于（）的块状带是直接还原区；（）是间接还原区和直接还原区；高于（）的是间接还原区。
炉内低于800℃区域是哪种还原为主（）。A、直接还原B、间接还原C、二种还原均在
在炉内800℃区域是（）。A、直接还原B、间接还原C、直接还原与间接还原