下列说法正确的是 。A.MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。B.MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。C.MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。

下列说法正确的是 。

A.MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。

B.MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。

C.MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。

D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。


参考答案和解析
正确

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