高能电子线深度曲线可以分为主要的三个区，这三个区划分的剂量点是A、d100和d90B、d100和d85C、d85和d90D、d50和d85E、d95和d107
高能电子线深度曲线可以分为主要的三个区，这三个区划分的剂量点是
A、d100和d90
B、d100和d85
C、d85和d90
D、d50和d85
E、d95和d107
相关考题：
高能电子束的PDD曲线可大致分为A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出，对于高能X(γ)射线A、能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B、能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C、能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D、能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E、能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确()。A、表面剂量随能量的增加而增加B、从表面到dmax为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加C、从dmax得到d80(d85)为治疗区，剂量梯度变化较小D、D80(d85)以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯E、度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域 A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
场效应管输出特性曲线可以分为三个区域，分别为截止区、饱和区和 。