晶体三极管的反向击穿电压是基极开路时e、c两极之间的击穿电压。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管的集电极发射极击穿电压BUCEO是指基极开路时()的()允许电压值,BUCEO随温度的增高()。
二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。 A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿
由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应
使电介质发生击穿时的最低电压称为（），此时的电场强度为电介质的（），亦称为绝缘强度。
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极电路B、共集电极电路C、共基极电路D、三者差不多
使固体介质表面的气体发生闪络时的电压称为（）。A、闪络电压B、击穿电压C、电晕放电电压D、短路电压
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
晶体管做放大使用时，必须（）。A、发射极与某电极都加上正向电压B、发射极与导电极都加上反向电压C、发射结加正向电压，集电结加反向电压
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共基极和共集电极电路
三极管在电路中放大能力最强的是（）。A、共基极电路B、共发射极电路C、共集电极电路D、共集电结电路
下列属于共基极放大电路特点的是（）。A、电压放大倍数小B、输入、输出电压反相C、电压放大倍数与共发射极相同D、输人电阻小
由晶体三极管组成的共发射极、共集电极、共基极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极电路B、共集电极电路C、共基极电路D、三者差不多
当基极开路，集电极和发射极之间加反向电压时产生的集电极电流叫穿透电流。
三极管起放大作用的外部条件是（）。A、集电极加反向电压，发射极加正向电压B、集电极加正向电压，发射极加反向电压C、集电结加反向电压，发射结加正向电压D、集电结加正向电压，发射结加反向电压
BJT中三种击穿电压UBR（CEO）、UBR（CBO）、UBR（EBO）的大小关系为（） （）（）。
齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
为了获得反相电压放大，则应选用（）放大电路。A、共发射极B、共集电极C、共基极
在电子器件参数中，晶体三极管的穿透电流是指（）。A、发射极开路时，基极电流的大小B、发射极开路时，集电极电流的大小C、基极开路时，发射极电流的大小D、基极开路时，集电极电流的大小
三极管当（）开路时，在集电结加反向电压时，这时流经集电结的反向电流称为集电极反向饱和电流，用符号（）表示。
三极管中ICEO指的是发射极开路，集电极加反向电压时的电流。
填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
单选题三极管起放大作用的外部条件是（）。A集电极加反向电压，发射极加正向电压B集电极加正向电压，发射极加反向电压C集电结加反向电压，发射结加正向电压D集电结加正向电压，发射结加反向电压