在八面体场中,既能形成低自旋又能形成高自旋配合物的过渡元素的d电子数应为()。 A.1~3个B.2~5个C.4~6个D.6~9个

在八面体场中,既能形成低自旋又能形成高自旋配合物的过渡元素的d电子数应为()。

A.1~3个

B.2~5个

C.4~6个

D.6~9个


相关考题:

(基础题)根据晶体场理论,在八面体场中,由于场强的不同,有可能产生高自旋和低自旋的电子构型是()A.d2B.d3C.d4D.d8

下列关于配合物的叙述中错误的是()A.高自旋的八面体配合物的CFSE不一定小于低自旋的CFSEB.同种元素的内轨型配合物比外轨型配合物稳定C.中心离子的未成对电子愈多,配合物的磁矩愈大D.价键理论的内轨型配合物对应着晶体场理论的高自旋配合物

下列关于配合物的叙述中错误的是 ()A.高自旋的八面体配合物的CFSE不一定小于低自旋的CFSEB.同种元素的内轨型配合物比外轨型配合物稳定C.中心离子的未成对电子愈多,配合物的磁矩愈大D.价键理论的内轨型配合物对应着晶体场理论的高自旋配合物

3、(基础题)根据晶体场理论,在八面体场中,由于场强的不同,有可能产生高自旋和低自旋的电子构型是()A.d2B.d3C.d4D.d8

下 列 配 体 中, 与 过 渡 金 属 离 子 只 能 形 成 高 自 旋 八 面 体 配 合 物 的 是A.COB.NH3C.CN-D.F-

根据晶体场理论 ,在八面体场中 ,由于场强的不同 ,有可能产生高自旋和低自旋的电子构型是A.d 2B.d 3C.d 4D.d 8

下列对八面体配合物的有关叙述中,正确的是:A.P>△o时形成低自旋配合物,磁矩大;B.P<△o时形成低自旋配合物,磁矩小;C.P>△o时形成高自旋配合物,磁矩小;D.P<△o时形成高自旋配合物,磁矩大。

第四周期某金属离子在八面体弱场中的磁矩为4.9B.M,而它在八面体强场中的磁矩为零。试根据配合物的价键理论和晶体场理论,回答: (1)该中心离子可能是哪个离子? (2)在弱场中,中心离子提供的空轨道是什么?所形成的配位键是内轨型还是外轨型? (3)在强场中,写出中心离子d电子的排布,所形成的配离子是高自旋还是低自旋?

根据晶体场理论,在电子构型为d1-d10的过渡金属离子中,当形成六配位的八面体配合物时,其高自旋和低自旋配合物的电子排布不相同的中心离子的电子构型为 。