屏蔽是采用一种局部或完整的包围体减少()向指定区域穿透。其目的有两方面:一是();二是()。

屏蔽是采用一种局部或完整的包围体减少()向指定区域穿透。其目的有两方面:一是();二是()。


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以下哪一种方法是减少差错的最根本方法() A、提高线路质量B、采用屏蔽C、选择合理的编码方式D、差错检查

屏蔽是导电材料将电子设备包围起来,减少其向空间的电磁辐射.屏蔽不仅防止人体与带电体物理接触,主要是防止人体受到过量的()辐射。 A、电流B、电压C、电磁D、全错

哪一个命令可自动地将包围指定点的最近区域定义为填充边界()。A.BHATCHB.BOUNDARYC.HATCHD.PTHATCH

为减少相邻接地体的屏蔽作用,垂直接地体间距不宜小于其长度的()倍,水平接地体间的距离应根据设计规定,不宜小于()米。

将检波器屏蔽起来的目的是减少桩头破损或松散对实测波形的影响。()。

采用超声穿透波检测钢材和焊缝缺陷的方法称为(),是一种局部破损检测方法。

()是减少电磁干扰的基本措施。为减少屏蔽芯线的(),在屏蔽层仅一端做等电位连接的情况下,应采用有绝缘隔开的(),外层屏蔽应至少在()做等电位连接。

哪一个命令可自动地将包围指定点的最近区域定义为填充边界?()A、BHATCHB、B0UNDARYC、HATCHD、PTHATCH

颈深筋膜中层形成一个完整的封套包围颈部,故又称为封套层或包围层。

区域指外轮廓和岛之间的部分。由外轮廓和岛共同指定待加工的区域,外轮廓用来界定加工区域的(),岛用来屏蔽()

下面对Mask的作用,描述正确的是:()A、通过Mask,可以对指定的区域进行屏蔽B、某些Effect需要根据Mask发生作用C、产生屏蔽的Mask必须是封闭的

为减少相邻接地体的屏蔽作用,垂直接地体的间距不应小于其长度的()倍。

变频器的信号线和输出线都采用屏蔽电缆安装,其目的有什么不同?

屏蔽是减少电磁干扰的基本措施。当采用屏蔽电缆时,为什么其屏蔽层至少在两端做等电位连接?

备皮的目的是不损伤皮肤完整性的前提下减少局部()数量,降低手术后切口感染率。

屏蔽β射线选用低原子序数的材料,其目的是减少( )A、散射B、外照射C、电离D、轫致辐射E、以上都不是

屏蔽接地按功能划分要求有()。A、磁屏蔽体的接地:其目的是为了防止形成环路产生环流而发生磁干扰。磁屏蔽体的接地主要应考虑接地点的位置以避免产生接地环流。一般要求其接地电阻不大于4ΩB、电磁屏蔽体的接地:其目的是为了减少电磁感应的干扰和静电耦合,保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩC、静电屏蔽体的接地:其目的是为了把金属屏蔽体上感应的静电干扰信号直接导入地中,同时减少分布电容的寄生耦合,保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩD、其屏蔽体应在电源滤波器处,即在进线口处一点接地

当防直击雷的人工接地体距建筑物出入口或人行通道小于3m时,为减少跨步电压,应采取的措施有( )。A、水平接地体局部埋深不应小于0.8mB、水平接地体局部应包绝缘物,可采用50~80mm的沥青层,其宽度应超过接地装置2mC、采用沥青碎石地面或在接地体上面敷设50~80mm的沥青层,其宽度应超过接地装置2mD、水平接地体局部埋深不应小于0.5m

多选题下面对Mask的作用,描述正确的是:()A通过Mask,可以对指定的区域进行屏蔽B某些Effect需要根据Mask发生作用C产生屏蔽的Mask必须是封闭的

填空题屏蔽是采用一种局部或完整的包围体减少()向指定区域穿透。其目的有两方面:一是();二是()。

填空题()是减少电磁干扰的基本措施。为减少屏蔽芯线的(),在屏蔽层仅一端做等电位连接的情况下,应采用有绝缘隔开的(),外层屏蔽应至少在()做等电位连接。

多选题电磁屏蔽是用高电导率材料制成的环、栅或板放置在钢构附近适当部位,利用导体中感应电流的去磁作用削弱附近的磁场,其方法有()。A金具材料采用非磁性的B采用封闭母线C加装屏蔽环,又称短路环(或去磁环),一般由低电阻材料制成,它的作用可以减少钢构上的发热损耗D屏蔽板(栅)用铝或钢制成,放置在母线与钢构之间,两端短接

问答题屏蔽是减少电磁干扰的基本措施。当采用屏蔽电缆时,为什么其屏蔽层至少在两端做等电位连接?

判断题AREA命令可以用来求以指定点为顶点的多边形区域或指定对象所包围的区域的面积和周长,但不能进行面积的加减运算。A对B错

填空题为减少相邻接地体的屏蔽作用,垂直接地体的间距不应小于其长度的()倍。

填空题采用超声穿透波检测钢材和焊缝缺陷的方法称为(),是一种局部破损检测方法。

多选题当防直击雷的人工接地体距建筑物出入口或人行通道小于3m时,为减少跨步电压,应采取的措施有( )。A水平接地体局部埋深不应小于0.8mB水平接地体局部应包绝缘物,可采用50~80mm的沥青层,其宽度应超过接地装置2mC采用沥青碎石地面或在接地体上面敷设50~80mm的沥青层,其宽度应超过接地装置2mD水平接地体局部埋深不应小于0.5m