当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuB()uBuE A、大于，大于B、大于，小于C、小于，小于D、小于，大于
NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对，错)。
在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管
NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。A、UC﹥UE﹥UBB、UC﹥UB﹥UEC、UC﹤UB﹤UE
固定偏置放大电路中，晶体管的β=50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）。A、增加B、减少C、基本不变D、无法判断
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
在NPN型晶体三极管放大电路中，基极与发射极短路，则晶体管（）A、深度饱和B、将截止C、集电极正偏D、发射结反偏
在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（）A、NPN型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、PNP型硅管
当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入电压为1kHz，100mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部失真，这种失真是（）
在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V，集电极电位为5V，则该管是（）型的晶体管，工作在（）状态。
固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）A、增加B、减少C、基本不变
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：VA=—5V、VB=—8V、VC=—5。2V，则三极管对应的电极是：A为（）极、B为（）极，C为（）极。晶体管属（）型三极管。
在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）A、晶体三极管将深度饱和B、晶体三极管将截止C、晶体三极管的集电极将正偏
已知某NPN型晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为6V、9V和6.3V，则三个电极分别为（）。A、发射极、基极和集电极B、基极、发射极和集电极C、集电极、基极和发射极
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE＝6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
有关NPN晶体管的描述错误的是（）A、如果晶体管中基极电流不流通，则集电极电流不流通B、光电晶体管有一个特性，即在有光照射时切断电流C、晶体管可以用作开关D、晶体三极管具有放大电流的功能
单选题测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V可判断该管处于（）工作状态。A完全截止B完全导通C线性放大D饱和导通
单选题NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。AVC＞VE＞VBBVC＞VB＞VECVC＞VB＞VEDVB＞VE＞VC
单选题在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。APNP管的集电极BPNP管的发射极CNPN管的发射极DNPN管的基极
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A硅PNP型B硅NPN型C锗PNP型D锗NPN型
单选题固定偏置放大电路中，晶体管的β=50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）。A增加B减少C基本不变D无法判断