NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对,错)。
单结晶体管是由()组成的。A、NPN管B、PNP管C、一个PN结D、两个基极
晶体管是由半导体形成的,有()和()两种。A、PNP、PNPB、NPN、NPNC、PNP、NPND、PNN、NPP
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。
目前我国生产的NPN结构形式的晶体管多为()管。A、硅B、锗C、稳压D、整流
NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同,这个箭头是代表发射结在正向连接时的()方向。A、电量B、电流C、电压D、功率
乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成,其主要优点是()。
当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC()uB()uE。
根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
那种PLC的输出形式,输出可以不考虑电源极性()。A、继电器输出B、NPN型晶体管输出C、PNP型晶体管输出D、晶闸管输出
在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是()。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v,VE=-7v,VC=-4v,可以判定此晶体管是()管,处于()。A、NPN管,饱和区B、PNP管,放大区C、PNP管,截止区D、NPN管,放大区
NPN晶体管处于截止状态的条件是()。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V
晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。A、NPN型晶体管;B、PNP型晶体管;C、硅管;D、锗管。
要使NPN晶体管放大器正常工作,必须是发射结和集电结都加正向偏压。
问答题简述减小NPN晶体管中的集电极串联电阻rCS的方法
问答题简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤?