若RAM的地址码有8位,行、列地址译码器的输入端都为4个,则它们的输出线(即字线+位线)共有()条。A、8B、16C、32D、256

若RAM的地址码有8位,行、列地址译码器的输入端都为4个,则它们的输出线(即字线+位线)共有()条。

  • A、8
  • B、16
  • C、32
  • D、256

相关考题:

译码器哪个输出信号有效取决于译码器的地址输入信号。()

指令译码器是对指令的地址码进行译码的。() 此题为判断题(对,错)。

RAM的基本结构包含地址译码器、存储矩阵和读写电路三大部分。一个RAM芯片有11个地址输入端,8个数据输出端,则该RAM芯片的容量是(  )位。A.88B.880C.211×8D.28×11

有一微机系统,采用CPU的低10位地址线A0~A9作为输入输出口的地址线,系统中接口芯片内部有16个端口地址,该接口芯片的片选信号由地址译码器产生,则地址译码器的输入地址线一般应为()。A.A5~A9B.A4~A9C.A2~A9D.A0~A9

已知74LS138译码器的输入三个使能端(E1=1,E2A=E2B=0)时,地址码A2A1A0=011,则输出Y7~Y0是()。A、11111101B、10111111C、11110111D、11111111

4K×8RAM芯片的地址输入端为()个,数据输出端为()个。

有一微机系统,采用CPU的低10位地址线A0~A9作为输入输出口的地址线,系统中接口芯片内部有16个端口地址,该接口芯片的片选信号由地址译码器产生,则地址译码器的输入地址线一般应为()。A、A5~A9B、A4~A9C、A2~A9D、A0~A9

74138译码器通常用于产生片选信号,其译码输入端应与系统的()总线相连。A、地址B、数据C、控制D、串行

动态存储器的刷新是按()(填行或列)进行;若存储单体的容量为64K,采用双译码且地址线平均送到两个译码器中,则刷新地址计数器的模为()。

地址译码器的输入端应接到()上。A、控制总线B、数据总线C、地址总线D、外部总线

指令译码器是对指令的地址码进行译码的。

已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为()。A、4B、2C、3D、8

地址译码器的输入端应接到()。A、控制总线B、数据总线C、地址总线D、外部总线

ROM电路由地址译码器和存储体构成,若译码器有十个地址输入线,则最多可有()个字。A、10B、102C、210D、104

在一个单元格引用的行地址或列地址前,若表示为绝对地址则添加的字符是()A、@B、#C、$D、%

若RAM的地址码有8位,行、列地址译码器的输入端都为4个,则它们的输出线(即字线加位线)共有()条。A、8B、16C、32D、256

RAM的基本结构包含地址译码器、存储矩阵和读写电路三大部分。一个RAM芯片有11个地址输入端,8个数据输出端,则该RAM芯片的容量是()位。A、88B、880C、211×8D、28×11

地址一般分为行、列地址的是()。A、EEPROMB、FlashC、静态RAMD、动态RAM

问答题2114RAM(1024×4位)的存储器为64×64矩阵,它的地址输入线,行地址输入线,列地址输入线,输入/输出线各是多少条?每条列选择输出线同时接几位?

问答题已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:需要芯片的总数是多少?

问答题已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

判断题指令译码器是对指令的地址码进行译码的。A对B错

单选题3线-8线译码器,有()个地址输入端、()个输出端。A3、8B8、3C6、8D3、11

填空题4K×8RAM芯片的地址输入端为()个,数据输出端为()个。

单选题地址译码器的输入端应接到()上。A控制总线B数据总线C地址总线D外部总线

填空题动态存储器的刷新是按()(填行或列)进行;若存储单体的容量为64K,采用双译码且地址线平均送到两个译码器中,则刷新地址计数器的模为()。