张力计是利用半导体应变片或铂金丝的电阻随其受到的()改变而变化来进行测量的。 A、温度B、压力C、拉力D、音量
电阻应变计灵敏系数越大,单位应变引起的相对电阻变化越小。()
桥梁静态应变测量的特点是测点少，精度要求低。由于现场环境温度及荷载的微小变化不会给测量带来误差，因此测量速度可以放慢。
电阻应变片的灵敏度系数K指的是（ ）。 A、应变片电阻值的大小 B、单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C、应变片金属丝的截面积的相对变化 D、应变片金属丝电阻值的相对变化
采用电阻应变片量测结构应变，测试结果对环境温度的变化不敏感。（ ）
热电阻采用三线制接法，可以使测量桥路相邻桥臂上的连接导线电阻由于环境温度的变化而引起的变化互相抵消一部分，从而提高测量的精度。
沿应变片轴向的应变ex必然引起应变片电阻的相对变化，而沿垂直于应变片轴向的横向应变ey也会引起其电阻的相对变化，这种现象称为（）。
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
粘贴到试件上的电阻应变片，环境温度变化会引起电阻的相对变化，产生虚假应变，这种现象称为温度效应，简述产生这种现象的原因。
金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于：前者利用（）引起的电阻变化，后者利用（）变化引起的电阻变化。
当测量较小应变值时，应选用电阻（）效应工作的应变片，而测量大应变值时，应选用（）效应工作的应变片，后者应变片阻值的相对变化主要由材料的相对变化来决定。
金属丝应变片在测量某一构件的应变时，引起电阻的相对变化主要由（）。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料的电阻率的变化D、电阻截面积
当测量较小应变值时，应选用（）工作的应变片，而测量大应变值时，应选用压阻效应工作的应变片，后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。
金属电阻应变片的电阻相对变化主要是由于电阻丝的（）变化产生的。A、尺寸B、电阻率C、形状D、材质
因环境温度改变而引起的附加电阻变化或者造成的视应变，除与环境温度变化有关外，还与应变计本身的性能参数k、α。βs以及被测构件的线膨胀系数βg有关。
造成电阻式应变片测量产生误差的原因有很多，其中温度影响是最重要的。当环境温度发生变化时会导致应变片本身（）发生变化。
当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致，且试件轴线上受一维应力作用时，应变片灵敏系数K的定义是（）。A、应变片电阻相对变化与试件主应力之比B、应变片电阻与试件主应力方向的应变之比C、应变片电阻相对变化与试件主应力方向的应变之比D、应变片电阻相对变化与试件作用力之比
因环境温度改变而引起的附加电阻变化或者造成的视应变，与下列哪些因素有关（）。A、环境温度变化B、应变计本身的性能参数κ、α、βC、被测构件的线膨胀系数βgD、应变丝的长度l
电阻应变式扭矩传感器在测量时会引起应变片的哪个物理量发生变化（）。A、磁导率B、热导率C、电阻率D、介电常数
问答题粘贴到试件上的电阻应变片，环境温度变化会引起电阻的相对变化，产生虚假应变，这种现象称为温度效应，简述产生这种现象的原因。
填空题当测量较小应变值时，应选用电阻应变效应工作的应变片，而测量大应变值时，应选用（）效应工作的应变片，后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。
单选题电阻应变片的灵敏度系数K指的是（）。A应变片电阻值的大小B单位应变引起的应变片相对电阻值变化C应变片金属丝的截面积的相对变化D应变片金属丝电阻值的相对变化
填空题沿应变片轴向的应变ex必然引起应变片电阻的相对变化，而沿垂直于应变片轴向的横向应变ey也会引起其电阻的相对变化，这种现象称为（）。
填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
单选题电阻应变式扭矩传感器在测量时会引起应变片的哪个物理量发生变化（）。A磁导率B热导率C电阻率D介电常数