3AX31三极管属于()型三极管。 A、PNP型锗材料B、NPN型锗材料C、PNP型硅材料D、NPN型硅材料
NPN型和PNP型晶体管的区别是()。 A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同
3DG型三极管的制作材料、类型是（）。A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
各类国产仪器系列的代号为经纬仪代号“J”，水准仪代号为“S”，平板一代号为“P”。
国产低频硅材料PNP型、区别代号为B、序号为31的晶体管应写成（）。A、3AG31BB、3AX31BC、3AXB31D、SDG31B
某半导体型号标明为3AD50C，其含义表示（）。A、锗材料PNP型管B、低频大功率管C、硅材料NPN型管D、A和B
一只三极管型号为3DG130C，它表示（）。A、PNP型硅材料高频小功率三极管B、NPN型硅材料高频小功率三极管C、PNP型硅材料低频小功率三极管D、NPN型硅材料低频小功率三极管
有一个二极管的标号为：2CP18，其中“C”表示（）。A、P型锗材料B、N型锗材料C、P型硅材料D、N型硅材料
有一个二极管的标号为ZCP18，其中“C”表示（）。A、P型锗材料B、N型锗材料C、P型硅材料D、N型硅材料
三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
三极管3AX31是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
国产晶体管2CW表示（）。A、N型硅材料微波管B、P型锗材料稳压管C、N型硅材料稳压管D、P型锗材料微波管
3DG4C表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型硅材料高频小功率三极管；C、NPN型锗材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频小功率三极管
3BX31是（）三极管。A、硅材料PNP型B、硅材料NPN型C、锗材料PNP型D、锗材料NPN型
3DA101表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频小功率三极管；C、NPN型硅材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频大功率三极管；
3CG21是（）三极管。A、硅材料PNP型B、硅材料NPN型C、锗材料PNP型D、锗材料NPN型
3AD18A、表示（）A、NPN型锗材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频大功率三极管；C、NPN型硅材料低频小功率三极管；D、NPN型硅材料高频小功率三极管
国产晶体管3DG系列表示（）。A、硅材料NPN型高频小功率三极管B、锗材料PNP型高频大功率三极管C、硅材料NPN型低频小功率三极管D、锗材料PNP型低频大功率三极管
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，高频大功率管
三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，低频大功率管
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
单选题有一个二极管的标号为ZCP18，其中“C”表示（）。AP型锗材料BN型锗材料CP型硅材料DN型硅材料
单选题某国产晶体三极管型号为3DG6，则该管是（）A高频小功率NPN型硅三极管B高频大功率NPN型硅三极管C高频小功率PNP型锗三极管D高频大功率PNP型锗三极管
单选题国产低频硅材料PNP型、区别代号为B、序号为31的晶体管应写成（）。A3AG31BB3AX31BC3AXB31D3CG31B