单选题A 60B 61C 100D 50

单选题
A

60

B

61

C

100

D

50


参考解析

解析: 暂无解析

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测得三极管基极电流为30微安时,集电极电流为2.4毫安; 基极电流为40微安时,集电极电流为3毫安,则该管 的交流 电流放大系数为( ) 。 A.60B75C80D100

测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,V2=-5V,V3=-0.3V,则可判断()。 A、该管为NPN管,材料为硅,1极为集电极B、该管为NPN管,材料为锗,2极为集电极C、该管为PNP管,材料为硅,1极为集电极D、该管为PNP管,材料为锗,2极为集电极

在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。A、NPN 型硅管B、NPN 型锗管C、PNP 型硅管D、PNP 型锗管

某放大电路中,测得三极管三个电极的静态点位分别为0V、10V、9.3V,则这只三极管是(  )。A.NPN型锗管B.NPN型硅管C.PNP型锗管D.PNP型硅管

测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,;V2=-5V,V3=-0.3V,则可判断()。A.该管为NPN管,材料为硅,1极为集电极B.该管为NPN管,材料为锗,2极为集电极C.该管为PNP管,材料为硅,1极为集电极D.该管为PNP管,材料为锗,2极为集电极

已知发射极电流Ie=4.68mA,基极电流Ib=0.06mA,求集电极电流Ic。

放大电路中三极管的集电极静态电流的大小与()无关。A、集电极电阻B、基极电阻C、三极管的β值D、电源电压

晶体三极管有三个电极,分别为基极、()和集电极。

若三极管的集电结反偏、发射结正偏,则当基极电流减少时,使该三极管()A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流要增大D、集电极电流不变

三极管三个电极分别为基极;()和发射极。

从半导体三极管三个区引出的三个电极分别为()。A、正极B、发射极C、集电极D、基极

当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流时,则该管子()。A、放大能力降低B、必定过热至烧毁C、仍能正常工作D、被击穿

当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,则该管子()。A、放大能力降低B、必定过热至烧毁C、仍能正常工作D、被击穿

在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管

三极管三个电极的电流存在()关系。

如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM,则该管被击穿。

在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是()A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管

有人选用最大允许集电极电流ICM=20mA,最大允许电压UCEO=20V,集电极最大允许耗散功率PCM=100mW的三极管组成放大电路,其静态工作点IC=15mA,UCE=10V,则该管应属于下列四种状态中的()A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏

某处于放大状态的三极管,测得三个电极的对地电位为U1=5V,U2=1.7V,U3=1V,则电极()为基极,()为集电极,()为发射极,该管子为()型管。

晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=-2V,VB=-2.2V,VC=-6V,则该管的管型是()

三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为:VA=—5V、VB=—8V、VC=—5。2V,则三极管对应的电极是:A为()极、B为()极,C为()极。晶体管属()型三极管。

当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。

共发射极放大电路中三极管的集电极静态电流的大小与()无关。A、集电极电阻B、基极电阻C、三极管的βD、电源电压

共发射极放大电路中()的大小与集电极电阻无关。A、三极管的集电极静态电流B、输出电流C、电压放大倍数D、输出电阻

如果晶体三极管的集电极电流大于它的最大允许电流,则该管()。A、放大能力降低B、击穿C、必定过热甚至烧坏D、D.上述C.皆可能

如果晶体三极管的集电极电流大于它的最大允许电流,则该管()。A、放大能力降低B、击穿C、管子过热甚至烧坏D、上述A、C皆可能

如果三极管的集电极电流IC大于它的集电集最大允许电流ICM,则该管()。A、被烧坏B、被击穿C、电流放大能力下降D、正常工作状态

单选题三极管三个电极的静态电流分别为0.06mA、3.66mA、3.6mA,则该管的β为(  )。[2009年真题]A60B61C100D50