若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管()。 A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大
晶体三极管用于放大时,则()。 A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结正偏，基集反偏
三极管处于饱和状态则为()。 A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结都正偏D、发射结反偏，集电结正偏
一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于()状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于()状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为()状态。
工作在放大状态的三极管，各极的电位应使三极管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
如果晶体三极管的（），则该管工作于截止区。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏
无论采用哪种连接方式，也无论是采用NPN型三极管还是PNP型三极管，要使三极管具有放大作用，都必须保证（）。A.发射结正偏、集电结反偏B.发射结反偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结反偏D.发射结正偏、集电结正偏
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结正偏
三极管工作在截止模式时要求（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置应为（）。A、发射结零偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管饱和工作状态的外部条件是（）。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏
三极管截至工作状态的外部条件是（）.A、发射结反偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏
对三极管部电路有如下要求：（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结反偏
NPN型三极管在共射极电路中，如果三极管工作在放大区，则应是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏，集电结处于反偏C、发射结处于反偏，集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏
工作在放大区的NPN型三极管，其偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
半导体三极管处在饱和状态时是（）A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏
三极管工作在饱和区，要求（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、.发射结反偏、集电结反偏
如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。A、集电极电流减小B、集电极电压Uc上升C、集电极电流增大
晶体三极管工作于饱和状态时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
单选题晶体三极管用于饱和时，应使其发射结、集电结处于（）A发射结正偏、集电结反偏B发射结正偏、集电结正偏C发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏
单选题半导体三极管的放大条件是（）。A发射结正偏，集电结反偏B发射结正偏，集电结正偏C发射结反偏，集电结正偏D发射结反偏，集电结反偏
单选题若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A发射结正偏、集电结正偏B发射结反偏、集电结反偏C发射结正偏、集电结反偏D发射结反偏、集电结正偏