由于热处理使试件某些区域的磁导率改变，可能形成非相关显示。（）
关于磁痕显示的叙述，正确的是（）A、非相关显示不是由漏磁场吸附磁粉磁粉形成的B、表面缺陷磁痕一般宽而模糊、轮廓不清晰C、近表面缺陷磁痕一般浓密清晰、瘦直或弯曲D、以上都不对
试件的几何形状或磁导率的变化等形成的磁痕是相关显示
射线照相中，几何因素或其他形状因素，如厚度变化、密度变化、设计孔、尺寸变化等所引起的显示为（）A、错误显示B、无关显示或非相关显示C、有关显示或相关显示D、瑕疵
影响涡流探伤的主要试件参数是试件的（）。A、电导率B、磁导率C、几何形状D、以上均是
形成磁痕的原因是（）。A、由于缺陷的漏磁场B、由于截面突变等形状变化处C、V由于材料组织变化处D、以上都是
平行或接近于试件表面的键槽或钻孔会产生与试件内部形状对应的（）的磁痕
相关显示与非相关显示是由漏磁场形成的磁痕显示，而伪显示不是由漏磁场形成的磁痕显示。
试件的几何形状或磁导率的变化等形成的磁痕是无关显示
由于热处理使试件某些区域磁导率改变，可能形成相关显示。
试件中（）性间断与磁导率的急剧变化有关。A、磁粉B、电阻率C、电容D、磁均匀
形成磁痕的原因是（）A、由于缺陷的漏磁场B、由于截面突变等形状变化处C、由于材料组织变化处D、以上都是
形成磁痕的原因有（）A、由于截面突变等形状变化处B、由于材料组织变化处C、由于缺陷的漏磁场D、以上都不是
试件的几何形状或磁导率的变化等均可形成磁痕，这些磁痕是（）显示。
判断题相关显示是由漏磁场吸附磁粉形成的磁痕显示。A对B错
单选题影响涡流探伤的主要试件参数是试件的（）。A电导率B磁导率C几何形状D以上均是
判断题由于热处理使试件某些区域磁导率改变，可能形成相关显示。A对B错
填空题试件的几何形状或磁导率的变化等均可形成磁痕，这些磁痕是（）显示
多选题形成磁痕的原因有（）A由于截面突变等形状变化处B由于材料组织变化处C由于缺陷的漏磁场D以上都不是
填空题平行或接近于试件表面的键槽或钻孔会产生与试件内部形状对应的（）的磁痕
单选题形成磁痕的原因是（）A由于缺陷的漏磁场B由于截面突变等形状变化处C由于材料组织变化处D以上都是
判断题由于热处理使试件某些区域的磁导率改变，可能形成非相关显示。A对B错
判断题相关显示与非相关显示是由漏磁场形成的磁痕显示，而伪显示不是由漏磁场形成的磁痕显示。A对B错
单选题关于磁痕显示的叙述，正确的是（）A非相关显示不是由漏磁场吸附磁粉磁粉形成的B表面缺陷磁痕一般宽而模糊、轮廓不清晰C近表面缺陷磁痕一般浓密清晰、瘦直或弯曲D以上都不对
判断题试件的几何形状或磁导率的变化等形成的磁痕是无关显示A对B错
单选题射线照相中，几何因素或其他形状因素，如厚度变化、密度变化、设计孔、尺寸变化等所引起的显示为（）A错误显示B无关显示或非相关显示C有关显示或相关显示D瑕疵