单选题当半导体材料受到光照时,由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化,因而导致材料电导率的变化,这种现象称为()A光伏效应;B光电导效应;C光电发射效应;D光热效应。

单选题
当半导体材料受到光照时,由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化,因而导致材料电导率的变化,这种现象称为()
A

光伏效应;

B

光电导效应;

C

光电发射效应;

D

光热效应。


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当刀具上超过一定温度时,刀具材料的金相组织发生变化,硬度显著下降,从而使刀具迅速磨损,这种现象称为()磨损。

由于溶液浓度及组成发生变化,而引起测定的吸光度发生变化,这种现象称为()。 A、电离效应B、基体效应C、化学干扰D、光谱干扰

金属材料表面由于受到周围介质的作用而发生状态变化,从而使金属材料遭受破坏的现象称为腐蚀。() 此题为判断题(对,错)。

当多数载流子是自由电子时,这种半导体称为N型半导体。

禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()

半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。

指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。

光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。 A、光子效应B、霍尔效应C、热电效应D、压电效应

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变

半导体材料的压阻效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。

外光电效应是指受光照物体(通常为半导体材料)电导率发生变化或产生光电动势的效应。

当把石英等晶体置于电场中,其几何尺寸将发生变化,这种由于外电场作用导致物质机械变形的现象称为()。

光照射于某一物体,组成该物体的材料吸收光子能量而发生相应的电效应的物理现象称为光电效应。

当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。A、载流子数增加,电阻减小B、载流子数减少,电阻减小C、载流子数增加,电阻增大D、载流子数减少,电阻增大

当半导体材料在某一方向承受应力时,它的()发生显著变化的现象称为半导体()。用这个原理制成的电阻称固态()。

当放大电路输入端短路时,输出端电压缓慢变化的现象称为(),()是引起这种现象的主要原因。

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

半导体的电导率对压力变化、稳定变化、光照变化因素非常敏感。

填空题半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

填空题指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。

单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A越高B不确定C越低D不变

单选题半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()A多子---少子---少子;B少子---多子---多子;C多子---多子---多子D少子---少子---少子。

填空题半导体受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,因而导致材料的电导率增大,称为()效应。

判断题外光电效应是指受光照物体(通常为半导体材料)电导率发生变化或产生光电动势的效应。A对B错

填空题光电导效应是当材料受到光照后,其()发生变化的现象。

单选题掺有杂质的半导体在光照下,中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带,同样,中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带,这种吸收称为()A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收