在摘机状态,电压升高,使晶体管饱和导通下集电极电压为()时,允许键盘输入。 A、1.5VB、1VC、0.5VD、0V
当晶体管的UCE一定时,基极与发射极间的电压UBE与基极电流IB之间的关系曲线称为()曲线;当基极电流IB一定时,集电极与发射极间的电压UCE与集电极电流IC的关系曲线称为()曲线。
正弦电流在任何时间的电角度，称为正弦电流的相位。（）A对B错
在晶体管AGC电路中，控制电压一般可控制晶体管的（）。A、基极B、发射极C、集电极
在晶体管共射极交流基本放大电路中，集电极负载电阻的作用是（）。A、将集电极电流的变化转为电压的变化B、将集电极反向偏置C、限制基极电流D、限制集电极电流
在晶体管内基片上有一个裂缝，可以导致集电极到发射极开路，在这里（）A、“集电极到发射极开路”是故障原因（机理）B、“集电极到发射极开路”是故障模式C、“晶体管内基片上有裂缝”是故障原因（机理）D、“晶体管内基片上有裂缝”是故障模式
JT-1型晶体管图示仪能测试晶体管的（）、（）和共集电极三种接法的特性。
晶体管放大电路中，集电极电阻RC的主要作用是向三极管提供集电极电流。（）
晶体管共集电极放大电路的信号是从（）A、基极输入，集电极输出B、基极输入，发射极输出C、发射极输入，集电极输出D、集电极输入，发射极输出
处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中，功耗限制电阻的作用是（）A、限制集电极功耗B、保护晶体管C、把集电极电压变化转换为电流变化D、限制集电极功耗，保护被测晶体管
将输出信号从晶体管（）引出的放大电路称为射极输出器。A、基极B、发射极C、集电极D、栅极
正弦电流在任何时间的电角度，称为正弦电流的相位。（）
在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
为了降低电力晶体管在开关状态转换过程中的损耗，提高系统的安全可靠性，必须采用合理的（）驱动电。A、基极B、集电极C、栅极D、发射极
填空题当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
多选题在晶体管内基片上有一个裂缝，可以导致集电极到发射极开路，在这里（）A“集电极到发射极开路”是故障原因（机理）B“集电极到发射极开路”是故障模式C“晶体管内基片上有裂缝”是故障原因（机理）D“晶体管内基片上有裂缝”是故障模式