单选题NAFLD作为CVD/CHD的独立危险因素的原因不包括()A脂谱及其分布异常B低炎症状态影响血管壁和心脏的代谢C脂联素↑D肝性IR

单选题
NAFLD作为CVD/CHD的独立危险因素的原因不包括()
A

脂谱及其分布异常

B

低炎症状态影响血管壁和心脏的代谢

C

脂联素↑

D

肝性IR


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预防心脑血管疾病的关键在于从小注意减少可能引起该病的A、危险因素B、重要危险因素C、主要危险因素D、独立危险因素E、独特危险因素

高血浆同型半胱氨酸被认为是A.动脉粥样硬化的独立危险因素B.糖尿病的独立危险因素C.高血压的独立危险因素D.肥胖的独立危险因素E.前列腺癌的独立危险因素

()是糖尿病最重要的CHD危险因素:A、LDL-CB、HDL-CC、甘油三酯D、以上都不对

CRS1型的独立危险因素不包括()。 A、年龄B、性别C、高血压D、糖尿病

神经外科术后感染的独立危险因素不包括()。 A、脑脊液泄露B、手术时间C、糖尿病D、急诊手术

NAFLD的危险因素包括( ) A、高脂肪高热量膳食结构B、多动少坐的生活方式C、胰岛素抵抗D、饮酒E、代谢综合征及其组分

可作为动脉粥样硬化独立的危险因素的是()ACMBHDLCVLDLDD.LpELDL

NAFLD作为CVD/CHD的独立危险因素的原因不包括()A、脂谱及其分布异常B、低炎症状态影响血管壁和心脏的代谢C、脂联素↑D、肝性IR

简述冠心病的独立危险因素及潜在危险因素

可作为动脉粥样硬化独立的危险因素的是()A、CMB、HDLC、VLDLD、D.LpE、LDL

超重及肥胖是冠心病和脑卒中发病的()A、危险因素B、重要危险因素C、主要危险因素D、独立危险因素E、独特危险因素

高同型半胱氨酸血症()A、是动脉粥样硬化独立的危险因素B、是缺血性卒中独立的危险因素C、是TIA独立的危险因素D、是脑出血独立的危险因素E、是脑栓塞独立的危险因素

问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因。

单选题可作为动脉粥样硬化独立的危险因素的是()ACMBHDLCVLDLDD.LpELDL

单选题超重及肥胖是冠心病和脑卒中发病的()。A危险因素B重要危险因素C主要危险因素D独立危险因素E独特危险因素