单选题RAMBUS内存槽的供电电压为()VA1.8B2.5C3.3D5

单选题
RAMBUS内存槽的供电电压为()V
A

1.8

B

2.5

C

3.3

D

5


参考解析

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电压质量标准规定用户受电端供电电压允许偏差值是()。 A.35kV及以上用户供电电压正、负偏差绝对值之和不超过额定电压的10%B.10kV及以下三相供电电压允许偏差为额定电压的±7%C.220V单相供电电压允许偏差为额定电压的±7%D.220V单相供电电压允许偏差为额定电压的+7%、-10%E.220kV及以下三相供电电压允许偏差为额定电压的±7%F.10V单相供电电压允许偏差为额定电压的+7%、-10%

内存按技术规格分,可分为哪几种类型() A.EDO内存B.SDRAM内存C.DDR内存D.Rambus内存

只有一个凹缺口的内存是()。 A.SDRAMB.DDRC.RDRAMD.RAMBUS

RDRAM[RAMBUS]内存技校使用的中()位内存总线。 A.16B.32C.64D.128

220V单相供电电压允许偏移为额定电压的()。

+24V宽电压范围供电系统,通信设备受电端子上电压允许变动范围为()V至()V。

RAMBUS内存槽的供电电压为()VA、1.8B、2.5C、3.3D、5

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客车采用集中供电方式,其供电电压为线电压380V、相电压220V。

三相供电的电压允许偏移为7%,220V单相供电的电压偏移为+7%、-10%。

220V单相供电的,供电电压允许偏差为额定值的±7%。

测量线路绝缘电阻时,当线路的供电电源为50V~500V时,应采用额定直流电压为500V的绝缘表;当设备供电电源小于50V时,应采用额定直流电压为100V的绝缘表。

GY74型感应测井仪直流供电电压为250V,交流供电电压为100V。

仪表供电电压为24V。

交流市电电源供电标称电压为220V,以下测试电压值不符合供电标准。()A、231VB、241VC、251V

LNB的供电电压为()。A、水平极化供电电压为11-14V,垂直极化供电电压为18-21VB、水平极化供电电压为18-21V,垂直极化供电电压为11-14VC、水平极化供电电压为11-14V,垂直极化供电电压为11-14VD、水平极化供电电压为18-21V,垂直极化供电电压为18-21V

性能最高的内存是()。A、EDO内存B、SDRAM内存C、DDR内存D、RAMBUS内存

WTZ450C车站电台主用供电电压为交流()V,备用电池电压为直流()V。

RDRAM[RAMBUS]内存技校使用的中()位内存总线。A、16B、32C、64D、128

RAMBUS内存槽有()只引脚A、72B、2.5C、184D、192

内存按技术规格分,可分为哪几种类型()A、EDO内存B、SDRAM内存C、DDR内存D、Rambus内存

只有一个凹缺口的内存是()。A、SDRAMB、DDRC、RDRAMD、RAMBUS

220V单相供电的,供电电压允许偏差上限值为额定电压的()。A、+5%B、+7%C、+10%

单选题RDRAM[RAMBUS]内存技校使用的中()位内存总线。A16B32C64D128

单选题SDRAM内存槽的供电电压为()VA1.8B2.5C3.3D5

单选题RAMBUS内存槽有()只引脚A72B2.5C184D192

填空题WTZ450C车站电台主用供电电压为交流()V,备用电池电压为直流()V。