RAMBUS内存槽的供电电压为()VA、1.8B、2.5C、3.3D、5

RAMBUS内存槽的供电电压为()V

  • A、1.8
  • B、2.5
  • C、3.3
  • D、5

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强力霉素的pH值为多少()。 A、1.8B、2.5C、10.0D、11.0

内存按技术规格分,可分为哪几种类型() A.EDO内存B.SDRAM内存C.DDR内存D.Rambus内存

只有一个凹缺口的内存是()。 A.SDRAMB.DDRC.RDRAMD.RAMBUS

RDRAM[RAMBUS]内存技校使用的中()位内存总线。 A.16B.32C.64D.128

预焙槽上,阳极消耗速度大约每日()厘米。A、1.5~1.8B、2.5C、2.5~3D、0.5~1

计算机光存储设备的工作电压为()A、1.5B、3C、3.3D、5

AGV小车供电系统电压()VA、220B、36C、24

8MeV的R80是()cmA、1.8B、2.6C、3.3D、4.lE、5.2

精矿粉堆比重在()左右。A、1.1~1.8B、1.9~2.5C、2.6~3.5

电接点压力表的报警上限为()Mpa。A、1.8B、2.5C、2.6D、3.4

性能最高的内存是()。A、EDO内存B、SDRAM内存C、DDR内存D、RAMBUS内存

Rambus DRAM是()公司最早提出的一种内存规范。A、LGB、HyundaiC、RambusD、KingMax

RDRAM[RAMBUS]内存技校使用的中()位内存总线。A、16B、32C、64D、128

RAMBUS内存槽有()只引脚A、72B、2.5C、184D、192

DDR内存的工作电压是()VA、1.5B、2.5C、3.3D、5

DDR内存槽的供电电压为()VA、1.8B、2.5C、3.3D、5

内存按技术规格分,可分为哪几种类型()A、EDO内存B、SDRAM内存C、DDR内存D、Rambus内存

只有一个凹缺口的内存是()。A、SDRAMB、DDRC、RDRAMD、RAMBUS

层间绝缘宽度应为槽形中间宽度的()倍。A、1.5~1.8B、2~2.5C、2.5~3D、3~5

单选题DKZ5型车的供电电压DC750V及变化范围DC()VA550-950B500-900C500-850

单选题手提灯的供电电压不应超过()VA12B6C50D24

单选题SDRAM内存槽的供电电压为()VA1.8B2.5C3.3D5

单选题RAMBUS内存槽有()只引脚A72B2.5C184D192

单选题RDRAM[RAMBUS]内存技校使用的中()位内存总线。A16B32C64D128

单选题RAMBUS内存槽的供电电压为()VA1.8B2.5C3.3D5

单选题DDR内存的工作电压是()VA1.5B2.5C3.3D5

单选题AGV小车供电系统电压()VA220B36C24