低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡
土壤处于干湿交替的情况下，土壤铁、锰化合物经受氧化还原作用而发生的淋溶淀积过程，称为（）
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错
判断题阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。A对B错
问答题淋溶（eluviation）与淀积（illuviation）过程
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？
问答题为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？