填空题MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为()。(肖特基缺陷生成能为6ev,1ev=1.6×10-15J,k=1.38×10-23J/K)

填空题
MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为()。(肖特基缺陷生成能为6ev,1ev=1.6×10-15J,k=1.38×10-23J/K)

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原子能级以电子伏特表示,下列正确的是A、1eV=1.6×10JB、1eV=2.0×10JC、1eV=3.0×10JD、1eV=1.6×10JE、1eV=2.0×10J

1电子伏特与焦耳的换算关系时()。A、1eV=1.602*10^(-19)JB、1eV=1.602*10^(-31)JC、1eV=1.602*10^(-11)JD、1eV=1.602*10^(-25)J

在0.001mol·L-1ZnCl2溶液中通入H2S气体达到饱和,如果以盐酸调整酸度,使ZnS生成沉淀,溶液的氢离子浓度应控制在什么范围?(Ksp(ZnS)=1.2×10-23,KH2S=K1×K2=1.0×10-22)

原子能级以电子伏特表示,下列正确的是()A、1eV=1.6×10-19JB、1eV=2.0×10-19JC、1eV=3.0×10-19JD、1eV=1.6×10-18JE、1eV=2.0×10-18J

MgO的密度是3.58g/cm3,其晶格参数是0.42nm,计算单位晶胞MgO的肖特基缺陷数。

如下说法哪个是正确的()A、形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加B、晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度C、当点缺陷浓度达到平衡值时,晶体自由能最低

属于晶体缺陷中面缺陷的是()A、位错B、螺旋位错C、肖特基缺陷D、层错

电子伏特(eV)与焦耳(J)的关系是().A、1eV=1.6×10-19JB、1J=1.6×10-19eVC、1eV=1JD、1eV=1.6×1019JE、以上都不对

晶体的热缺陷有()两类,热缺陷浓度与温度的关系式为()

什么叫晶体的热缺陷?有几种类型?写出其浓度表达式,晶体中离子电导分为哪几类?

在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B

名词解释题肖特基缺陷

问答题MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol,计算该晶体1000K和1500K的缺陷浓度。

名词解释题弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷

问答题MgO的密度是3.58g/cm3,其晶格参数是0.42nm,计算单位晶胞MgO的肖特基缺陷数。

填空题晶体的热缺陷有()两类,热缺陷浓度与温度的关系式为()

单选题晶体中的点缺陷不包括()A肖特基缺陷B佛伦克尔缺陷C自填隙原子D堆垛层错

单选题热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottkydefect)时,()。A正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的缩小B正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加C正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加D正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加

单选题属于晶体缺陷中面缺陷的是()A位错B螺旋位错C肖特基缺陷D层错

单选题当晶体的温度高于绝对0K时,由于晶体内原子热震动,使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷称为()A杂质缺陷B热缺陷C点缺陷D面缺陷

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单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而()。A增加B不变C降低

问答题氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV,而从玻尔-哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别,原因是什么?

单选题晶体结构中的缺陷在温度为()时才能生成。A0KB298KC0KD0℃

问答题MgO(NaCl型结构)和Li2O(反萤石型结构)均以氧的立方密堆为基础,而且阳离子都在这种排列的间隙中,但在MgO中主要的点缺陷是肖特基缺陷,而在Li2O中是弗伦克尔型,请解释原因

问答题什么是肖特基缺陷、弗兰克尔缺陷?他们属于何种缺陷,发生缺陷时位置数是否发生变化?

单选题如下说法哪个是正确的()A形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加B晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度C当点缺陷浓度达到平衡值时,晶体自由能最低