问答题MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol，计算该晶体1000K和1500K的缺陷浓度。
问答题
MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol，计算该晶体1000K和1500K的缺陷浓度。
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根据晶体结构理论和化学键理论，试比较下列各组物质熔点的高低。 （1）ZnCl2、CaCl2、KCl三种晶体 （2）NaBr、NaF、NaCl、NaI四种晶体 （3）NaF、KF、MgO、SiCl4、SiBr4五种晶体
已知NaF晶体的晶格能为915kJ·mol－1，Na原子的电离能为496kJ·mol－1，金属钠的升华热为101kJ·mol－1，F2分子的解离能为160kJ·mol－1，并测得NaF的生成热为-571kJ·mol－1，试计算氟元素的电子亲和能E为（）。
单选题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。A正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
问答题晶体的缺陷浓度为何随温度升高而加大？