单选题漏磁场与下列哪些因素无关()。A外加磁场强度B缺陷位置和形状C工件表面覆盖层和工件材料及状态D退磁场

单选题
漏磁场与下列哪些因素无关()。
A

外加磁场强度

B

缺陷位置和形状

C

工件表面覆盖层和工件材料及状态

D

退磁场


参考解析

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漏磁场与()因素无关A、工件的磁场强度B、缺陷埋藏的深度C、缺陷内的介质D、磁化的磁场强度与材料的磁导率

漏磁场的大小与外加磁场有关,当铁磁材料的磁感应强度达到饱和值80%左右时,漏磁场便会迅速增大。

关于漏磁场的叙述,正确的是()A、缺陷漏磁场的大小与缺陷方向无关B、缺陷漏磁场的大小与缺陷方向有关C、缺陷平行于磁力线方向时,则漏磁场最大D、缺陷漏磁场的大小与磁力线方向无关

以下关于漏磁场的叙述中,错误的是()A、缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的材质无关C、漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D、工件表层下缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大

下列关于漏磁场的叙述,正确的是()。A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降D、有缺陷的试件,才会产生漏磁场

下列关于漏磁场的叙述中,正确的是()A、缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D、工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大

漏磁场与下列哪些因素无关()。A、外加磁场强度B、缺陷位置和形状C、工件表面覆盖层和工件材料及状态D、退磁场

漏磁场与下列哪些因素有关:()A、磁化的磁场强度与材料的磁导率B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、缺陷内的介质D、以上都是

工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场()A、与磁化电流的大小无关B、与磁化电流的大小有关C、当缺陷方向与磁化场方向之间的夹角为零时,漏磁场最大D、与工件的材料性质无关

漏磁场与材料的()有关。

下面哪些因素影响漏磁场:()A、外加磁场的强度B、材料的磁导率C、材料的磁感应强度D、缺陷的埋藏深度

磁粉探伤中,工件中缺陷与漏磁场方向垂直时漏磁场强度最大。

磁力线是连续的,由缺陷形成的漏磁场其强度与缺陷深度无关。

漏磁场与下列哪些因素有关()A、磁化的磁场强度与材料的磁导率B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、缺陷内的介质D、以上都不是

工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是()。A、深度越大,漏磁场强度越高B、深度越小,漏磁场强度越低C、深度越小,漏磁场强度越高D、深度与漏磁场强度无关

磁场对通电导体的作用力大小与下列哪些因素无关()。A、通过导体电流的大小B、导体在磁场中的有效长度C、导体的截面积D、磁感应强度

单选题工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场()A与磁化电流的大小无关B与磁化电流的大小有关C当缺陷方向与磁化场方向之间的夹角为零时,漏磁场最大D与工件的材料性质无关

单选题漏磁场与()因素无关A工件的磁场强度B缺陷埋藏的深度C缺陷内的介质D磁化的磁场强度与材料的磁导率

单选题漏磁场与下列哪些因素有关:()A磁化的磁场强度与材料的磁导率B缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C缺陷内的介质D以上都是

判断题磁力线是连续的,由缺陷形成的漏磁场其强度与缺陷深度无关。A对B错

单选题工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是()。A深度越大,漏磁场强度越高B深度越小,漏磁场强度越低C深度越小,漏磁场强度越高D深度与漏磁场强度无关

单选题关于漏磁场的叙述,正确的是()A缺陷漏磁场的大小与缺陷方向无关B缺陷漏磁场的大小与缺陷方向有关C缺陷平行于磁力线方向时,则漏磁场最大D缺陷漏磁场的大小与磁力线方向无关

单选题下列关于漏磁场的叙述,正确的是:()A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降D有缺陷的试件,才会产生漏磁场

单选题下列关于漏磁场的叙述中,正确的是()A缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大

多选题漏磁场与下列哪些因素有关()A磁化的磁场强度与材料的磁导率B缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C缺陷内的介质D以上都不是

单选题下列关于漏磁场的叙述中,正确的是()A缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大

多选题以下关于漏磁场的叙述中,错误的是()A缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的材质无关C漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D工件表层下缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大