在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
分抹前额法，是施术者用双拇指罗纹面由( )。A.攒竹穴抹至太阳穴B.印堂穴抹至丝竹空穴C.印堂穴抹至太阳穴D.太阳穴抹至印堂穴
以下关于丝竹空穴主治作用的叙述，不正确的是A、目赤肿痛B、眩晕C、牙痛D、耳聋E、癫痫
穴的位置在颞部，眉梢与外眼角之间向后1寸凹陷处。A 瞳子髎B 丝竹空C 神庭D 太阳
针刺时，印堂穴、丝竹空穴应采取( )A、指切进针法B、挟持进针法C、提捏进针法D、舒张进针法E、针管进针法
()穴的位置在眼内眦角稍上方凹陷处。 A、攒竹B、睛明C、印堂D、丝竹空
()穴的位置在两眉头连线的中点。 A、丝竹空B、攒竹C、印堂D、晴明
P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
头部常用穴位() A、印堂B、神庭穴C、太阳穴D、丝竹空穴
以下关于丝竹空穴主治作用的叙述，不正确的是A.目赤肿痛B.眩晕C.牙痛D.耳聋E.癫痫
半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
（）的取穴方法是两眼平视，瞳孔直上眉毛中心处取穴。A、攒竹穴B、鱼腰穴C、丝竹空穴D、瞳子髎穴
电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
丝竹空穴位于（）。A、眉梢外侧凹陷中B、眼外角外侧C、眉毛中间D、额头两侧
单选题重空穴指的是（）。A质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
单选题美容按摩中，分抹前额的操作顺序，下列正确的是（）。A用双手中、食指指腹由太阳穴向下提抹3～5次B用双手中、食指指腹由太阳穴向上提抹3～5次C用双手中、食指指腹由丝竹空穴向上提抹3～5次D用双手中、食指指腹由丝竹空穴向下提抹3～5次
单选题针刺时，印堂穴、丝竹空穴应采取（ ）。A指切进针法B挟持进针法C提捏进针法D舒张进针法E针管进针法
单选题瞳子髎穴的位置（）A在面部、目外眦旁，当眶外侧缘处；B在眼睛上1.5寸凹陷处；C在丝竹空穴直下2寸凹陷处；D在眼睛外1.5处凹陷处。
单选题以下关于丝竹空穴主治作用的叙述，不正确的是（）A目赤肿痛B眩晕C牙痛D耳聋E癫痫
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴
单选题（）的取穴方法是两眼平视，瞳孔直上眉毛中心处取穴。A攒竹穴B鱼腰穴C丝竹空穴D瞳子髎穴
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子
单选题太阳穴的位置（）A在头侧部，在颞部、在眉梢与目外眦之间、向后约1横指的凹陷处；B头维穴与曲鬓穴弧形连线的中点处；C目正视，瞳孔直上，入前发际0.5寸，神庭穴与头维穴连线的中点处；D在丝竹空穴下方1.5寸凹陷处。