在冷却结晶中,随着规模的放大,结晶釜制冷能力降低,冷却时间延长,这种情况下,由于过饱和度不高,不会发生成核。() 此题为判断题(对，错)。
在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体，常在介稳区进行结晶。介稳区是指( )。A.溶液没有达到饱和的区域B.溶液刚好达到饱和的区域C.溶液有一定过饱和度，但程度小，不能自发地析出结晶的区域D.溶液的过饱和程度大，能自发地析出结晶的区域
结晶操作中，应在溶液进入介稳区内适当温度时加入晶种。此题为判断题(对，错)。
在结晶过程中为制的大颗粒的结晶，过饱和度应控制在（）内。A、稳定区B、介稳区C、不稳定区
制碱塔内，在结晶过程中，为制的大颗粒的结晶，过饱和度应控制在（）内。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、冷却段
结晶操作中，应在溶液进入介稳区内适当温度时加入晶种。
根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
为了使结晶器具有较大生产能力，同时得到希望的晶体粒度，结晶操作应控制溶液的过饱和度在（）。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、介稳区与不稳区均可
加晶种控制结晶，使溶液的过饱和度控制在介稳区中，不会出现（）现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核
在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体，常在介稳区进行结晶。介稳区是指（）。A、溶液没有达到饱和的区域B、溶液刚好达到饱和的区域C、溶液有一定过饱和度，但程度小，不能自发地析出结晶的区域D、溶液的过饱和程度大，能自发地析出结晶的区域
在饱和与过饱和温度曲线上，自发成核区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
在饱和与过饱和温度曲线上，为了产品质量控制和提高晶体回收率，工业结晶操作应在（）进行。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。
结晶时，若要获得颗粒少但是粒度大的晶体，应该控制溶液在（）结晶A、不稳定区B、稳定区C、介稳区D、饱和曲线上
在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区
填空题在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区
多选题根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，为了产品质量控制和提高晶体回收率，工业结晶操作应在（）进行。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区
多选题根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
单选题在饱和与过饱和温度曲线上，自发成核区域是（）。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区