名词解释题反向饱和电流

名词解释题
反向饱和电流

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相关考题:

随着温度的升高,三极管的参数:() A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定

使用晶体管时,下列哪些额定值不能超过?() A、电流放大系数βB、反向饱和电流ICBOC、反向击穿电压BUCEOD、耗散功率PCM

在半导体()结上加反向电压,当电压从零加到1伏时,反向电流从零增加到2微安。当反向电压继续增加时,反向电流不变,这个电流称为()饱和电流。

温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。() 此题为判断题(对,错)。

当环境温度升高时,半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会()。A、增大B、减小C、不变D、反向

为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关,而当环境温度升高时,又明显增大?

()是衡量二极管质量优劣的重要参数,值越小,质量越好。A、正向电流B、反向饱和电流C、反向电流D、反向饱和电流

晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时()极之间的反向饱和电流。A、e和bB、e和cC、c和bD、b和f

二极管反偏时,以下说法正确的是()A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小,称为反向饱和电流B、在达到死区电压之前,反向电流很小C、二极管反偏一定截止,电流很小,与外加反偏电压大小无关D、在达到反向击穿电压之前通过电流很大,称为反向饱和电流

当环境温度升高时,三极管的反向饱和电流Iabo将会()。A、增大;B、减小;C、不变;D、反向。

简述PN结反向电压—电流特性;反向饱和电流及方向;PN结的电压—电流特性。

关于反向饱和电流密度,以下说法中错误的是()A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。

温度增加,极电极的反向饱和电流()。

二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。

温度升高,对二极管的各种参数将发生影响,其中反向饱和电流将()

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、不变C、减小

在相同温度下,硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的()

关于稳压二极管的特性,下列说法中正确的有()A、它在正向击穿电压状态下工作B、当反向电压小于其击穿电压时,反向饱和电流近似为零C、当反向电压大于其击穿电压时,反向饱和电流急剧增大D、其内部结构与晶体三极管相似E、它在反向击穿电压状态下工作

三极管当()开路时,在集电结加反向电压时,这时流经集电结的反向电流称为集电极反向饱和电流,用符号()表示。

在二极管上加反向电压时,在一定范围内,反向电流基本(),与反向电压的大小无关,通常称为反向饱和电流。

测量二极管的反向饱和电流时,反向电压增加时,反向电流()。A、不变B、增大C、减小D、不一定

问答题为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关,而当环境温度升高时,又明显增大?

判断题二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。A对B错

单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A10μAB15μAC20μAD40μA