PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。() 此题为判断题(对，错)。
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子，又有少数载流子D、多数载流子
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是（），少数载流子应是（）。
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
电力场效应管MOSEFT是（）器件。A、双极型B、多数载流子C、少数载流子D、无载流子
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
单选题当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A不一定B少数载流子C既有多数载流子，又有少数载流子D多数载流子
单选题场效应管参与导电的载流子是（）。A电子B空穴C多数载流子D少数载流子