单选题指出高能X射线错误的吸收剂量校准深度()。A钴-60;5cmB<10MV;5cmC<10MV;7cmD11MV-25MV;7cmE26MV-50MV;10cm

单选题
指出高能X射线错误的吸收剂量校准深度()。
A

钴-60;5cm

B

<10MV;5cm

C

<10MV;7cm

D

11MV-25MV;7cm

E

26MV-50MV;10cm


参考解析

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高能X线(能量大于25MV)相对低能X射线的骨吸收剂量较高,是因为A、光电效应B、康普顿效应C、光致核反应D、电子对效应E、核聚变效应

指出高能X射线错误的吸收剂量校准深度:A.钴-605cmB. 指出高能X射线错误的吸收剂量校准深度:A.钴-605cmB.C.D.11MV-25MV7cmE.26MV-50MV10cm

对钢结构的射线探伤方法有( )。A、X射线B、高能射线C、β射线D、γ射线

关于钴-60γ射线的特点,描述错误的项是()A、钴-60γ射线比低能X射线的穿透力强B、钴-60γ射线比低能X射线的皮肤剂量高C、骨和软组织有同等的吸收剂量D、旁向散射比X射线小E、钴-60γ射线治疗经济可靠

关于建成效应的描述,错误的是()A、从表面到最大剂量深度区域成为建成区域B、对高能X射线,一般都有剂量建成区域存在C、剂量建成区内表面剂量不能为零D、高能次级电子数随深度增加而增加,导致建成区域内总吸收剂量随深度而增加E、高能X射线建成区深度随能量增加而增加

硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A、高能X(γ)射线与低能X射线B、高能X(γ)射线与电子束C、低能X射线与电子束D、高能X射线E、低能X射线

关于剂量建成区形成的原因,错误的是()A、高能X(γ)射线入射到人体或模体时,在体表或皮下产生高能次级电子B、虽然所产生的高能次级电子射程较短,但仍需穿过一定深度直至能量耗尽后停止C、在最大电子射程内高能次级电子产生的吸收剂量随组织深度增加而增加D、高能X(γ)射线随组织深度增加,产生的高能次级电子减少E、剂量建成区的形成实际是带电粒子能量沉积过程

水是用于校准高能X线和电子线的推荐模体材料,高能X线在水中最常用的校准深度为水下()A、5cmB、10cmC、15cmD、20cmE、25cm

吸收剂量当量的单位是(),对于X射线、γ射线,因为修正系数等于(),故吸收剂量当量值与吸收剂量值是()的。

指出高能X射线错误的吸收剂量校准深度()。A、钴-60;5cmB、<10MV;5cmC、<10MV;7cmD、11MV-25MV;7cmE、26MV-50MV;10cm

电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()A、表面剂量增加B、最大剂量深度变深C、X射线污染增加D、剂量梯度变陡E、高能电子束较低能电子束变化显著

关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、剂量跌落区E、X射线污染区

在吸收剂量相同的情况下,下列()射线对人体的危害程度最大。A、α射线B、中子射线C、X射线D、γ射线

吸收剂量使用的射线种类为()。A、X射线B、γ射线C、中子射线D、任何射线

铅对那种射线防护效果最好()A、低能X射线B、高能X射线C、γ射线D、中子

高能X射线比低能X射线更易于使胶片感光。

在吸收剂量相同的情况下,下列()对人体的危害程度最大。A、 α射线B、 中子射线C、 X射线D、 γ射线

高能射线是能量在()兆电子伏特以上的X射线,采用直线加速器产生的高能X射线与一般X射线相比,它具有()、()、()等特点。

在吸收剂量相同的情况下,()对人体的危害程度最大。A、α射线B、中子射线C、X射线D、γ射线

单选题铅对那种射线防护效果最好()A低能X射线B高能X射线Cγ射线D中子

单选题指出下面有关“碶形滤过板”的概念哪个不正确()A碶形因数即射线中心轴上深度D处的有、无碶形板是的吸收剂量率之比B对高能X线和钴60y线碶形因数的测量深度均为5CmC50%等剂量线与中心轴上垂直线的夹角称为碶形角D碶形野的百分深度量等于相同射野的无碶形板是的平E野的百分深度量与碶形因数的乘积对高能X线,碶形板的材料一般用铅,低能(200kV)X线用铜,实际应用碶形板时,高能比低能好

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单选题高能电离辐射吸收剂量校准的IAEA方法与Cλ和CE方法的主要区别除外哪项()A定义了电离室空气吸收剂量校准因子NDB不再使用Cλ和CE转换因子C引入了相对不同能量X(γ)射线和电子束的质量阻止本领D引入了相对不同能量X(γ)射线和电子束的扰动因子E用IAEA方法测量结果与量热法、化学剂量计方法的结果比较差别大于1%

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