电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点，哪项错误（）A、表面剂量增加B、最大剂量深度变深C、X射线污染增加D、剂量梯度变陡E、高能电子束较低能电子束变化显著
电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点，哪项错误（）
- A、表面剂量增加
- B、最大剂量深度变深
- C、X射线污染增加
- D、剂量梯度变陡
- E、高能电子束较低能电子束变化显著
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对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确()。A、表面剂量随能量的增加而增加B、从表面到dmax为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加C、从dmax得到d80(d85)为治疗区，剂量梯度变化较小D、D80(d85)以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯E、度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
指出下列百分深度剂量的变化哪项不正确()。A、百分深度剂量随能量的增加而增加B、百分深度剂量随面积的增加而增加C、百分深度剂量随深度的增加而增加D、百分深度剂量随源皮距的增加而增加E、百分深度剂量随射线强度的增加而增加
下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确：()。A.从表面到一定深度，剂量分布均匀B.能量高表面剂量低，能量低表面剂量高C.在一定深度之后，剂量下降快D.随能量增加，下降梯度变小E.剂量建成区比较窄并随能量增加而变化
下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确？（）A、从表面到一定深度，剂量分布均匀B、能量高表面剂量低，能量低表面剂量高C、在一定深度之后，剂量下降快D、随能量增加，下降梯度变小E、剂量建成区比较窄并随能量增加而变化
电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）A、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染减小
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A、大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B、大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C、大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是（）A、较高能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响B、较低能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响C、较低能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大D、较高能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大E、较高能量的电子束，较小照射野对百分深度剂量影响较大
高能电子线等剂量线分布的显著特点是（）。A、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，并随电子束能量而变化B、随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化C、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化D、随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化E、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（）A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（）。A、能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B、能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C、能量增大时.表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D、能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E、能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
单选题高能电子线等剂量线分布的显著特点包括（ ）。A随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，并随电子束能量而变化B随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化C随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化D随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化E随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化
单选题关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
单选题对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确（）A表面剂量随能量的增加而增加B从表面到DmAx为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加C从DmAx得到D80(D85)为治疗区，剂量梯度变化较小DD80(D85)以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯E度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
单选题当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（）。APDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加BPDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加CPDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加DPDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加EPDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
单选题当高能电子柬能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（ ）。APDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加BPDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加CPDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加DPDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加EPDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
单选题电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加（）。A表面剂量不变，高剂量坪区不变B表面剂量不变，高剂量坪区变宽C表面剂量增加，高剂量坪区变窄D表面剂量增加，高剂量坪区变宽E表面剂量减小，高剂量坪区变窄