名词解释题LOCOS

名词解释题
LOCOS

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体A、栅氧化层B、沟槽C、势垒D、场氧化层

填空题对于CMOS集成电路,通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式,如LOCOS()或STI()

问答题简述LOCOS隔离原理。

问答题什么是LOCOS和STI(写中英文全称),为什么在高级IC中STI取代了LOCOS,列举STI的工艺步骤。

填空题选择性氧化常见的有()和(),其英语缩略语分别为LOCOS和()。