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名词解释题LOCOS
名词解释题
LOCOS
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在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体A、栅氧化层B、沟槽C、势垒D、场氧化层
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填空题对于CMOS集成电路,通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式,如LOCOS()或STI()
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问答题简述LOCOS隔离原理。
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问答题什么是LOCOS和STI(写中英文全称),为什么在高级IC中STI取代了LOCOS,列举STI的工艺步骤。
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填空题选择性氧化常见的有()和(),其英语缩略语分别为LOCOS和()。
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