填空题核磁共振的化学位移是由于()而造成的;化学位移值是以()为相对标准制定出来的。
填空题
核磁共振的化学位移是由于()而造成的;化学位移值是以()为相对标准制定出来的。
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解析:
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简单香豆素母核上的1H-NMR特征有A:H-3的化学位移值为6.1~6.4B:H-4的化学位移值为7.5~8.3C:H-3的化学位移值为7.0~7.5D:H-4的化学位移值为6.5~7.0E:H-3和H-4的偶合常数(J)约为9Hz
在核磁共振波谱中,如果一组1H受到核外电子的屏蔽效应较小,则它的共振吸收将出现在下列的哪种位置?()A、扫场下的高场和扫频下的高频,较小的化学位移值(δ)B、扫场下的高场和扫频下的低频,较小的化学位移值(δ)C、扫场下的低场和扫频下的高频,较大的化学位移值(δ)D、扫场下的低场和扫频下的低频,较大的化学位移值(δ)
在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B、屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C、屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现
下面有关化学位移描述正确的是()。A、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大
单选题在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现
单选题关于化学位移,错误的是( )。A化学位移可以引起局部磁场的改变B化学位移是磁共振波谱的基础C化学位移饱和成像可用来突出或抑制某种组织的信号D化学位移特性可消除化学位移伪影E利用不同分子之间的化学位移,可以生成不同类型的图像
单选题下面有关化学位移描述正确的是()。A质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大
单选题关于化学位移成像的叙述,错误的是( )。A化学位移与磁场强度无关BMRS的成像基础是化学位移C可利用化学位移来实现抑制脂肪成像D可利用化学位移来实现抑制水成像E化学位移会导致化学位移伪影
单选题在相同的化学环境变化下,俄歇峰化学位移与光电子峰化学位移值关系是()A俄歇位移光电子位移B俄歇位移光电子位移C俄歇位移=光电子位移D无规律可循