填空题核磁共振的化学位移是由于()而造成的,化学位移值是以()为相对标准得到的。

填空题
核磁共振的化学位移是由于()而造成的,化学位移值是以()为相对标准得到的。

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

苯、乙烯、乙炔、甲醛,其1H化学位移值最大的是(),最小的是乙炔,13C的化学位移值最大的是甲醛最小的是乙炔。

核磁共振氢谱中,化学位移值的范围是A、51~60B、41~50C、31~40D、21~30E、0~20

核磁共振氢谱中,化学位移值的范围是A.51~60B.21~30C.31~40D.41~50E.0~20

简单香豆素母核上的1H-NMR特征有A:H-3的化学位移值为6.1~6.4B:H-4的化学位移值为7.5~8.3C:H-3的化学位移值为7.0~7.5D:H-4的化学位移值为6.5~7.0E:H-3和H-4的偶合常数(J)约为9Hz

在核磁共振波谱中,如果一组1H受到核外电子的屏蔽效应较小,则它的共振吸收将出现在下列的哪种位置?()A、扫场下的高场和扫频下的高频,较小的化学位移值(δ)B、扫场下的高场和扫频下的低频,较小的化学位移值(δ)C、扫场下的低场和扫频下的高频,较大的化学位移值(δ)D、扫场下的低场和扫频下的低频,较大的化学位移值(δ)

1H核磁共振波谱分析中,受到屏蔽效应小的一组H核,其共振信号将出现在()。A、扫频下的高频,扫场下的高场,化学位移δ值较小B、扫频下的高频,扫场下的低场,化学位移δ值较大

核磁共振波谱解析分子结构的主要参数是()。A、质荷比B、波数C、化学位移D、保留值

在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B、屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C、屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现

羟基的化学位移随氢键的强度变化而变动,氢键越强,δ值越小。

核磁共振的化学位移是由于()而造成的;化学位移值是以()为相对标准制定出来的。

核磁共振谱中为什么用化学位移标示峰位,而不用共振频率的绝对值?

在核磁共振波谱分析中,由化学位移、积分线和峰裂分情况,可以得到有关的结构信息为(),(),()。

核磁共振法中,测定某一质子的化学位移时,常用的参比物()。

核磁共振法中,测定某一质子的化学位移时,常用的参比物质是()

化学位移是由于氢核具有不同的屏蔽常数σ,产生核磁共振现象时,引起外磁场或共振频率的()的现象。

什么是核磁共振谱线的化学位移?为什么核磁共振可用于有机化合物的结构分析?

下面有关化学位移描述正确的是()。A、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大

单选题在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现

单选题下面有关化学位移描述正确的是()。A质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大

单选题关于化学位移成像的叙述,错误的是(  )。A化学位移与磁场强度无关BMRS的成像基础是化学位移C可利用化学位移来实现抑制脂肪成像D可利用化学位移来实现抑制水成像E化学位移会导致化学位移伪影

填空题在核磁共振波谱分析中,由化学位移、积分线和峰裂分情况,可以得到有关的结构信息为(),(),()。

填空题核磁共振的化学位移是由于()而造成的;化学位移值是以()为相对标准制定出来的。

填空题化学位移是由于氢核具有不同的屏蔽常数σ,产生核磁共振现象时,引起外磁场或共振频率的()的现象。

填空题H2O在100MHz核磁共振谱仪上1H,NMR化学位移为4.80,用500MHz仪器时化学位移是()

问答题核磁共振谱中为什么用化学位移标示峰位,而不用共振频率的绝对值?

单选题核磁共振波谱解析分子结构的主要参数是()A质荷比B波数C化学位移D保留值

单选题在相同的化学环境变化下,俄歇峰化学位移与光电子峰化学位移值关系是()A俄歇位移光电子位移B俄歇位移光电子位移C俄歇位移=光电子位移D无规律可循