下面有关化学位移描述正确的是（）。A、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
下面有关化学位移描述正确的是（）。
- A、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小
- B、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大
- C、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小
- D、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
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有关化学位移伪影的叙述，下列哪一项是错误的( )A.化学位移伪影是一种装备伪影B.化学位移伪影与呼吸运动有关C.化学位移伪影与主磁场强度有关D.化学位移伪影与观察视野有关E.化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别
有关化学位移伪影的叙述，下列哪一项是错误（）。A、化学位移伪影是一种装备伪影B、化学位移伪影与呼吸运动有关C、化学位移伪影与主磁场强度有关D、化学位移伪影与观察视野有关E、化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别
有关化学位移伪影的叙述，下列正确的是（）A、化学位移伪影是一种装备伪影B、化学位移伪影与呼吸运动有关C、化学位移伪影与主磁场强度有关D、化学位移伪影以观察视野有关E、化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别
有关化学位移伪影的叙述，下列哪项是错误的（）A、化学位移伪影是一种装备伪影B、化学位移伪影与呼吸运动无关C、化学位移伪影与主磁场强度有关D、化学位移伪影与观察视野有关E、化学位移伪影可以通过改变相位编码来消除
单选题关于化学位移，错误的是（ ）。A化学位移可以引起局部磁场的改变B化学位移是磁共振波谱的基础C化学位移饱和成像可用来突出或抑制某种组织的信号D化学位移特性可消除化学位移伪影E利用不同分子之间的化学位移，可以生成不同类型的图像
单选题下面有关化学位移描述正确的是（）。A质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
单选题关于化学位移成像的叙述，错误的是（ ）。A化学位移与磁场强度无关BMRS的成像基础是化学位移C可利用化学位移来实现抑制脂肪成像D可利用化学位移来实现抑制水成像E化学位移会导致化学位移伪影
多选题有关化学位移伪影的叙述，下列正确的是（）A化学位移伪影是一种装备伪影B化学位移伪影与呼吸运动有关C化学位移伪影与主磁场强度有关D化学位移伪影以观察视野有关E化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别
单选题TMS的δ=0，从化合物的结构出发，它的正确含义是（）。A不产生化学位移B化学位移最大C化学位移最小