为了制成单晶及更纯的硅，通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺（CZ法）。
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硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C、集力敏与力电转换检测于一体D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
单选题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C集力敏与力电转换检测于一体D根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
问答题简述直拉法生长单晶硅的工艺过程，并说明每个步骤各自有什么作用？