失效温度过高,强化效果反而较差的原因是在于()。 A、材料发生了再结晶B、合金元素沿晶界聚集C、所析出的弥散质点聚集长大，固溶体晶格畸变程度随之减小D、材料中的残余应力随时效温度升高而减小
游离二氧化硅由于晶体结构不同致纤维性变能力表现为A、结晶型>无定型>隐晶型B、隐晶型>结晶型>无定型C、结晶型>隐晶型>无定型D、隐晶型>无定型>结晶型E、无定型>隐晶型>结晶型
直接转换FPD利用的光导半导体材料是A、非晶硅B、非晶硒C、CslD、PSLE、非晶碳
传感器按材料的晶体结构分为：单晶、多晶、非晶材料传感器。()
直接转换FPD利用的光导半导体材料是A.非晶桂B.非晶砸C.CslD.PSLE.非晶碳
用于太阳能电池的半导体材料有（）A、单晶硅B、多晶硅C、非晶硅D、微晶硅
金属材料的磁性与其晶格结构有关。具有体心立方晶格结构的金属材料具有磁性，具有面心立方晶格结构的金属材料没有磁性。α-铁，δ-铁，Cr，V，β-Ti等具有体心立方晶格结构，因此，上述金属材料均具有磁性。
半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。
半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。
在晶体内，原子按一定几何规律在空间排列成所谓的结晶构架，叫做（）。A、晶面B、晶粒C、晶格D、晶架
多晶体材料内部的晶粒与晶粒之间的界面称为（）。A、亚结构B、晶界C、晶格D、晶胞
在金属的晶体内，原子按一定几何规律在空间排列成所谓结晶格架，称为（）A、晶面B、晶粒细小C、晶界D、晶格
金属材料弹性变形是其晶格中原子自平衡位置产生（）位移的反映。A、直线B、曲线C、可逆
用假想的线将晶体原子连成的网格称为（）。A、晶格B、晶胞C、晶体D、晶型
晶界处的晶格不规则，原子排列不整齐，并常有其他杂质原子聚集，故晶界处的强度较高，塑性较低。
在半导体中，（）的结构比较特殊，以常用的半导体材料锗和硅来说，它们的原子核最外层有四个价电子。A、分子B、中子C、原子D、离子
半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
硅和锗等半导体材料，原子结构的特点是最外层都有三个电子。
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
机械加工表面层的结晶组织变化包括（）A、晶格扭曲B、晶格拉长C、晶格破碎及纤维化D、硬化与非晶质化
判断题金属材料的磁性与其晶格结构有关。具有体心立方晶格结构的金属材料具有磁性，具有面心立方晶格结构的金属材料没有磁性。α-铁，δ-铁，Cr，V，β-Ti等具有体心立方晶格结构，因此，上述金属材料均具有磁性。A对B错
单选题游离二氧化硅由于晶体结构不同致纤维性变能力表现为（）A结晶型无定型隐晶型B隐晶型结晶型无定型C结晶型隐晶型无定型D隐晶型无定型结晶型E无定型隐晶型结晶型
多选题用于太阳能电池的半导体材料有（）A单晶硅B多晶硅C非晶硅D微晶硅
多选题机械加工表面层的结晶组织变化包括（）A晶格扭曲B晶格拉长C晶格破碎及纤维化D硬化与非晶质化
单选题相同组成的材料，导热系数存在如下关系（）A结晶结构＞微晶结构＞玻璃体结构B结晶结构＞玻璃体结构＞微晶结构C玻璃体结构＞结晶结构＞微晶结构D微晶结构＞结晶结构＞玻璃体结