单选题内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为（）。ARAMBFLASHC动态MOS型RAMDEPROM

单选题
内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为（）。
A

RAM

B

FLASH

C

动态MOS型RAM

D

EPROM

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EPROM是（）A.随机存储器B.只读存储器C.可电擦除的存储器D.可紫外线擦除的存储器
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能够用紫外光擦除ROM中的程序的只读存储器称为()。A.掩膜ROMB.PROMC.EPROMD.EEPROM
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在单片机存储器扩展中2764是()性质的存储器。 A、是随机存储器，一般在系统中作为数据存储器使用B、为只读存储器，在系统中作为程序存储器使用C、为电擦除型存储器，在系统中可作程序或数据存储器使用D、为快速擦除存储器
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DSP内核它包括处理器内核,指令缓冲器,数据存储器和程序存储器,I／O接口控制器,程序地址总线和程序数据总线,直接读取的地址总线和数据总线等单元,其中最核心的是()。 A.处理器内核B.指令缓冲器C.数据存储器和程序存储器D.程序地址总线和程序数据总线
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E2PROM(FLASH存储器)通过()的特殊写方式对其进行编程和擦除。 A.紫外线光B.电脉冲C.光脉冲D.激光
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指出下列存储器中，（）需要通过紫外线擦除器擦除。A、27256B、62256C、2816D、2l64
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用户可以用编程装置读出，也可以将用户程序写入的存储器是下列哪一种（）。A、用户存储器B、只读存储器C、随机存储器D、可擦除存储器
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属于可擦除的只读存储器在断电情况下存储器内的所有内容保持不变（在紫外线连续照射下可擦除存储器内容）的是（）。A、EPROMB、EEPROMC、RAMD、ROM
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存储器EPROM里的数据是需要电池保持的。它的内容是电写入，紫外线擦除。
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（）存储器的存储内容可以在紫外线灯照射下擦除。A、RAMB、ROMC、EPROMD、EEPROM
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下列只读存储器中，可紫外线擦除数据的是（）A、PROMB、EPROMC、Flash Memory
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可用紫外线擦除的存储器是（）A、E2PROMB、EPROMC、RAMD、FLASH
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程序一定要调入主存储器中才能运行。
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可编程序控制器的系统存储器中的程序用户（）A、可紫外线改写B、不能读C、可电改写D、不能更改
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EPROM是（）A、随机存储器B、只读存储器C、可电擦除的存储器D、可紫外线擦除的存储器
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能用紫外线光擦除ROM中的程序的只读存储器为（）A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM
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27512是（）х8位紫外线擦除电可编程只读存储器。
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程序一定要装到内存储器中才能运行。
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E2PROM（FLASH存储器）通过（）的特殊写方式对其进行编程和擦除。A、紫外线光B、电脉冲C、光脉冲D、激光
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能在紫外线照射下擦除和重写的存储器是（）型存储器，能够直接在线路中快速写入和读出的存储器是（）型存储器。
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内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为（）。A、RAMB、FLASHC、动态MOS型RAMD、EPROM
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能够用紫外光擦除ROM中程序的只读存储器称为（）。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM
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存储器芯片内容通过紫外线州照射，可擦除所有信息，然后还可写入新的信息，并可多次使用的是（）。A、EPROMB、PROMC、ROMD、CDROM
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EEPROM是紫外线擦除电可编程只读存储器。
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存储器芯片内容通过紫外线州照射，可擦除所有信息，然后还可写入新的信息，并可多次使用的是（）。A、EPROMB、PROMC、ROM
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单选题E2PROM（FLASH存储器）通过（）的特殊写方式对其进行编程和擦除。A紫外线光B电脉冲C光脉冲D激光
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单选题EPROM是（）A随机存储器B只读存储器C可电擦除的存储器D可紫外线擦除的存储器
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