片式晶体管的最大功率为（）。A、2wB、1wC、8wD、4w

片式晶体管的最大功率为（）。

  • A、2w
  • B、1w
  • C、8w
  • D、4w

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片式晶体管的最大功率为()。A.2wB.1wC.8wD.4w
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下列元件的插装顺序是()。 A、晶体管→小功率电阻→短接线B、小功率电阻→短接线→晶体管→变压器C、晶体管→短接线→变压器→小功率电阻D、短接线→小功率电阻→晶体管→变压器
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晶体管的功率为（）
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3AD6型硅低频大功率晶体管可用于作为逆变器中功率晶体管。
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下列元件的插装顺序是（）。A、晶体管→小功率电阻→短接线→变压器B、小功率电阻→短接线→晶体管→变压器C、晶体管→短接线→变压器→小功率电阻D、短接线→小功率电阻→晶体管→变压器
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一最大输出功率为10W的互补对称功放电路，其功放管至少应选耗散功率Pcm为2W的晶体管。
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根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
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恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
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功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射级允许最高击穿电压线，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。A、基极最大允许直流功率线B、基极最大允许电压线C、临界饱和线D、二次击穿触发功率线
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功率放大电路的转换效率是指（）A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
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所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信号基本不失真且幅值最大时，（）。A、晶体管上得到的最大功率B、电源提供的最大功率C、负载上获得的最大直流功率D、负载上获得的最大交流功率
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所谓效率是指（）A、输出功率与输入功率之比B、输出功率与晶体管上消耗的功率之比C、最大输出功率与电源提供的功率之比
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根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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3AX系列晶体管为低频大功率晶体管。
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试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
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更换晶体管调节器时，要注意调节器的（）应相符。A、最大功率；B、最大工作电流；C、标准电压；D、反向电阻
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电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为：（）、（）、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
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功率放大电路的转换效率为（）。A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的直流功率之比D、偏置电路所消耗的功率与电源提供的直流功率之比
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功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而（）。
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恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
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填空题大功率晶体管简称（），通常指耗散功率（）以上的晶体管。
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问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
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单选题桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A加快功率晶体管的开通B延缓功率晶体管的关断C加深功率晶体管的饱和深度D保护器件
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单选题设功率放大电路的输出功率为P，电源供给该电路的功率为P，功率晶体管消耗的功率为Pr，则该放大电路的效率等于（）。AP／PTBP／PCPT／PDP／P
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单选题片式晶体管的最大功率为（）。A2wB1wC8wD4w
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单选题功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。A基极最大允许直流功率线B基极最大允许电压线C临界饱和线D二次击穿功率线
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单选题下列元件的插装顺序是（）。A晶体管→小功率电阻→短接线→变压器B小功率电阻→短接线→晶体管→变压器C晶体管→短接线→变压器→小功率电阻D短接线→小功率电阻→晶体管→变压器
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