取放电子器件时没有佩戴防静电手环,佩戴防静电手套能否提供静电防护?() A、能B、不能
消除静电危害的错误途径是()。 A.防止或减少静电的产生B.使静电荷积聚C.防止足够能量的静电放电D.防止爆炸性混合气体的形成
防静电地面能有效地泄漏或消散静电荷，防止静电荷积累。A对B错
下面元器件中属于静电敏感元件的是：（）A、场效应管B、电容C、光耦D、集成电路
消除静电危害的错误途径是（）。A、防止或减少静电的产生B、使静电荷积聚C、防止足够能量的静电放电D、防止爆炸性混合气体的形成
取放电子器件时没有佩戴防静电手环，佩戴防静电手套能提供静电防护
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
静电感应晶体管SIT是一种结型场效应管，属于（）。
在检测MOS场效应管时，应注意防止人体感应电压击穿元件。
关于ESD的描述正确的有：（）。A、空气潮湿易引发静电B、人体是产生静电危害的最主要的静电源之一C、静电应该通过导体加以安全泄放D、静电可以损毁任何一种常用电子器件
场效应管是一种（）控制型电子器件。A、电流B、电压C、光D、磁
下列哪种情况不是场效应管的正常工作区（）A、饱和区B、非饱和区C、截止区D、击穿区
为了防止SMD器件因静电击穿损坏，工作人员需要拿取SMD器件时，应该（）。
防静电地面能有效地泄漏或消散静电荷，防止静电荷积累。
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
电力晶体管在使用时，要防止（）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态
静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管，属于（）
防止静电着火事故的措施有（）。A、减少静电的产生；加速静电泄漏，防止静电积聚；消除火花放电；防止存在爆炸性气体B、增加静电产生；加速静电积聚；采用火花防电；防止存在气体C、增加静电产生；加速静电积聚；消除火花放电；防止存在爆炸性气体D、减少静电的产生；防止静电积聚；采用火花放电；防止存在气体
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
场效应管控制晶闸管简称MCT，是由（）管和（）管复合而成的一种电力电子器件。
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
使用MOS类数字集成电路时，为防止（），人体和工具都要妥善接地。A、软击穿B、热击穿C、短路D、静电损害
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
填空题功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是（）和（）。