不能以位为单位存取的存储区是()。A、输入映像B、输出映像C、内部存储器D、外设I/O区
不能以位为单位存取的存储区是()。
- A、输入映像
- B、输出映像
- C、内部存储器
- D、外设I/O区
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在磁盘和磁带两种磁表面存储器中,存取时间与存储单元的物理位置有关,按存储方式分,()。 A、二者都是串行存取B、磁盘是部分串行存取,磁带是串行存取C、磁带是部分串行存取,磁盘是串行存取D、二者都是并行存取
线性表的顺序存储结构和线性表的链式存储结构分别是A.顺序存取的存储结构、顺序存取的存储结构B.随机存取的存储结构、顺序存取的存储结构C.随机存取的存储结构、随机存取的存储结构D.任意存取的存储结构、任意存取的存储结构
和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大
线性表的顺序存储结构和线性表的链式存储结构分别是A.顺序存取的存储结构、顺序存取韵存储结构B.随机存取的存储结构、顺序存取的存储结构C.随机存取的存储结构、随机存取的存储结构D.任意存取的存储结构、任意存取的存储结构
线性表的顺序存储结构和线性表的链式存储结构分别是()A、顺序存取的存储结构、顺序存取的存储结构B、随机存取的存储结构、顺序存取的存储结构C、随机存取的存储结构、随机存取的存储结构D、任意存取的存储结构、任意存取的存储结构
按存取方式分类,存储器可以分为()。A、随机存取存储器、只读存储器、电可擦除存储器、直接存取存储器B、随机存取存储器、只读存储器、顺序存取存储器、直接存取存储器C、随机存取存储器、读写存储器、电可擦除存储器、顺序存取存储器D、随机存取存储器、读写存储器、光可擦除存储器、直接存取存储器
单选题线性表的顺序存储结构是一种()A随机存取的存储结构B顺序存取的存储结构C索引存取的存储结构DHash存取的存储结构