场效应管是电压控型器件,它有3个引脚,分别叫基级、发射极和集电极。

场效应管是电压控型器件,它有3个引脚,分别叫基级、发射极和集电极。


相关考题:

三极管的三个电极分别叫做发射极E,基极B和集电极C。() 此题为判断题(对,错)。

场效应管是电压控型器件,它有3个引脚,分别叫基级、发射极和集电极。() 此题为判断题(对,错)。

场效应管是电压控型器件,它有3个引脚,分别叫基极、发射极和集电极。() 此题为判断题(对,错)。

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式

场效应管是电压控型器件,它有3个引脚,分别叫基极、发射极和集电极。

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共集极和共集电极电路

晶体三极管的三个电极分别叫做()。A、发射极、基极和集电极B、发射极、基极和受电极C、发射极、基电极和受电极D、发射极、基电极和集电极

NPN型三极管放大导通必须满足的条件:()。A、基极加正向电压,集电极加反向电压B、基极加反向电压,集电极加正向电压C、发射极加反向电压,集电极加正向电压D、发射极加正向电压,集电极加反向电压

输出电压与输入电压反向且输出电压幅度小于输入幅度的放大器为()A、共发射极放大器B、共基放大器和共集电极放大器C、共集电极放大器D、共集电极放大器和共发射极放大器

输出电压与输入电压反相且输出电压幅度大于输入幅度的放大器为()A、共发射极放大器B、共基放大器和共集电极放大器C、共集电极放大器D、共集电极放大器和共发射极放大

晶体三极管的E,B,C三个极分别叫做()A、发射极,集电极,基极B、集电极,发射极,基极C、发射极,基极,集电极D、基极,发射极,集电极

IGBT器件具有()。A、门极B、阳极C、发射极D、集电极

NPN三极管放大导通必须满足这样的条件,即()。A、发射极加正向电压,集电极加反向电压B、发射极加反向电压,集电极加正向电压C、基极加反向电压,集电极加正向电压D、基极加正向电压,集电极加反向电压

双极型三极管是()控制器件,当其工作在放大区时发射极需要加()偏置电压,集电极需要加()偏置电压;场效应管是()控制器件。

半导体三极管起放大作用时,必须()A、发射极与集电极都加正向电压;B、发射极与集电极都加反向电压;C、发射极加正向电压,集电极加反向电压;D、发射极加反向电压,集电极加正向电压;

IGBT是三端器件,三个引出电极分别是()极、集电极和发射极。

对NPN型晶体管,如果在集电极和发射极施加电压,其中集电极为正电压,同时在基极上也施加正电压,那么()。A、集电极电流导通B、基极电流导通C、发射极电流导通D、电流都不导通

IGBT是全控型晶体管的一种,它的三端器件是()A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极

对NPN型晶体管,如果在集电极和发射极施加电压,其中集电极为正电压,那么发射极内的自由电子()。A、朝基极侧移动B、朝集电极侧移动C、不动D、在发射极处无序运动

三极管在调节器中起一个电子开关的作用。它有三个极,分别为(),发射极e和集电极c之间作为开关的通路,基极作为控制极,控制e和c之间的导通与载止。A、发射极e、基极b、集电极cB、发射极e、集电极b、基极cC、集电极e、基极b、发射极cD、发射极b、集电极e、基极c

对NPN型晶体管,如果在集电极和发射极施加电压,其中集电极为正电压,那么基极内的空穴()。A、朝集电极侧移动B、朝发射极侧移动C、不动D、在基极处无序运动

NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管()A、集电极对发射极的电压VCE下降B、基极电流增大C、集电极对发射极的电压VCE上升

功率场效应管的三个引脚符号为()A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G

单选题晶体三极管的三个电极分别叫做()。A发射极、基极和集电极B发射极、基极和受电极C发射极、基电极和受电极D发射极、基电极和集电极

单选题NPN型三极管放大导通必须满足的条件:()。A基极加正向电压,集电极加反向电压B基极加反向电压,集电极加正向电压C发射极加反向电压,集电极加正向电压D发射极加正向电压,集电极加反向电压

单选题三极管由三块半导体制成,各引出一根电极,三个电极分别叫发射极、()、集电极。A集极BP极C基级DN极

填空题IGBT是三端器件,三个引出电极分别是()极、集电极和发射极。