CCD的光电转换部分的半导体材料在正电压的作用下，可以形成所谓“势阱”。“势阱”的作用是专门用来（）自由电子。A、产生B、抵消C、转移D、存放

CCD的光电转换部分的半导体材料在正电压的作用下，可以形成所谓“势阱”。“势阱”的作用是专门用来（）自由电子。

  • A、产生
  • B、抵消
  • C、转移
  • D、存放

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CCD在中文名称是(). A.半导体材料B.电荷耦合部件C.传感器D.金属半导体
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在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( )。 A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电发射D. 光导效应
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霍尔器件是一种采用半导体材料制成的()器件。 A、磁电转换B、光电转换C、压电转换D、温度转换
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光电转换材料大多是() A、导体B、绝缘体C、半导体D、玻璃
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光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应
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CCD可以实现()转换功能。 A.光电B.A/DC.D/AD.以上都不对
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CCD扫描器采用（CCD）的电子自动扫描光电转换器（）A、电荷耦合器件B、激光为光源
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CCD在中文名称是（）.A、半导体材料B、电荷耦合部件C、传感器D、金属半导体
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平板扫面光仪电转换系统的核心是（），它是利用微电子技术制成的表面光电器件，可以实现光电转换功能。A、A/D转换器B、CMOSC、光电倍增管（PMT）D、电荷耦合器件（CCD）
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CCD可以实现（）转换功能。A、光电B、A/DC、D/AD、以上都不对
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不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用的半导体光电检测器是（）。A、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管
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CCD扫描器采用电荷耦合器件（CCD）的电子自动扫描光电转换器。
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光电检测器是利用半导体材料的（）来实现光信号转换成电信号的。
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光电检测器是利用半导体材料的（）实现光电转换。
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在光线作用下，半导体电导率改变的现象属于（）.A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光生伏特效应
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光导效应
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半导体激光器是进行（）的器件。A、光电转换B、电光转换C、光光转换D、电电转换
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在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。
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在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
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关于半导体光源和半导体光电检测器的偏置电压表述，正确的是（）A、均为正向偏置B、均为反向偏置C、前者正偏，后者反偏D、前者反偏，后者正偏
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填空题CCD的基本构成是（）结构，它是利用在电极下SiO2-半导体界面形成的（）层进行工作的
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单选题CCD可以实现（）转换功能。A光电BA/DCD/AD以上都不对
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填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
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多选题CCD的基本单元由以下几部分组成（）A金属B氧化物C半导体D光电阴极E光电阳极
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填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。
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单选题CCD在中文名称是（）.A半导体材料B电荷耦合部件C传感器D金属半导体
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单选题平板扫面光仪电转换系统的核心是（），它是利用微电子技术制成的表面光电器件，可以实现光电转换功能。AA/D转换器BCMOSC光电倍增管（PMT）D电荷耦合器件（CCD）
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