PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0
PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G<1C. G=1D. G=0
PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()
A. G>1
B. G<1
C. G=1
D. G=0
相关考题:
随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。A.碰撞电离率小于1B.碰撞电离率等于1C.碰撞电离率积分等于1D.碰撞电离率积分小于1
雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是()。A.小于1B.等于1C.大于1D.大于或等于1