半导体材料做成的激光器,当激光器的PN结上外加的正向偏压足够大时,将使得PN结的结区出现了高能级粒子多、低能级粒子少的分布状态,这是粒子数反转分布状态。()

半导体材料做成的激光器,当激光器的PN结上外加的正向偏压足够大时,将使得PN结的结区出现了高能级粒子多、低能级粒子少的分布状态,这是粒子数反转分布状态。()


参考解析

解析:

相关考题:

当PN结加正向电压时,PN结处于截止状态。此题为判断题(对,错)。

激光器的构成一般由()组成。 A、激励能源、谐振腔和工作物质B、固体激光器、液体激光器和气体激光器C、半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D、电子、载流子和光子

PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。 A、正向B、反向C、双向D、逆向

在激光器中,能实现粒子数反转分布的物质称为×××。

当在PN结上加正向电压时,PN结处于( )状态。A.击穿B.饱和C.截止D.导通

当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时,即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时,它呈___状态,当外加电压与内电场的方向相同时,它将呈___状态,即___具有单向导电性。A、PN结;导通,截止;PN结B、晶体管;截止,导通;PN结C、晶体管;导通,截止;晶体管D、PN结;截止,导通;晶体管E、晶体管;截止,导通;晶体管

半导体激光器的基本结构主要有()。A、激励源B、光学谐振腔C、工作物质D、PN结

当PN结加正向电压时,PN结处于截止状态。

泵浦可激活介质内部的一种(),使其在某些能级间实现粒子数反转分布,这是形成激光的前提条件。A、分子B、粒子C、原子D、电子

PN结施加正向偏压时,载流子的符合是电子从高能级跌落到低能级,以什么形式释放能量的过程?()A、电辐射B、光辐射C、热辐射D、场辐射

半导体中PN结的最主要特征是(),即外加正向电压时,呈(),外加反向电压时,呈()。

粒子数反转分布是指高能级电子数()低能级电子数目。A、多于B、少于C、等于D、不多于

()是EDFA的辅助激光源。它的作用是把掺铒光纤中的铒离子从E1能级“泵”到E3能级,使其形成粒子数反转分布状态。

高能级的粒子数多,低能级的粒子数少称为粒子数反转分布。

PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将(),PN结中()电流占优势。

当PN结外加正向电压时,阻挡层的宽度将()A、增大B、减小C、不变D、近似不变

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄,当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽

当PN结外加正向电压时,PN结内多子()形成较大的正向电流。

和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变();当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变()

当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将()

使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

PN结正向偏置时,处于()状态,呈低电阻,正向电流大。

填空题当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

单选题激光器的构成一般由()组成A激励能源、谐振腔和工作物质B固体激光器、液体激光器和气体激光器C半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D电子、载流子和光子

填空题当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

判断题高能级的粒子数多,低能级的粒子数少称为粒子数反转分布。A对B错

填空题半导体中PN结的最主要特征是(),即外加正向电压时,呈(),外加反向电压时,呈()。