粉尘荷电的两种机制是电场荷电和扩散荷电。() 此题为判断题(对，错)。
带电质点的扩散是由于质点的()造成的。 A、运动B、热运动C、扩散D、对流
正负带电质点的“扩散”就是带电质点重新结合为中性质点。此题为判断题(对，错)。
正负带电质点的“复合”就是带电质点向周围介质扩散开去
固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。A、自扩散机制B、杂质扩散机制C、空位机制D、菲克扩散方程机制
一般来说，在频率一定的情况下，在给定的材料中，横波探测缺陷要比纵波灵敏，这是因为（）A、横波比纵波的波长短B、在材料中横波不易扩散C、横波质点振动的方向比缺陷更为灵敏D、横波比纵波的波长长
般来说在频率一定的情况下，在给定的材料中纵波探测缺陷不如横波灵敏，这是因为（）A、纵波波长比横波长B、在材料中横波不容易扩散C、横波质点振动跟灵敏D、横波波长比纵波长
介质中质点产生相应的横向和纵向两种振动的合成，质点作椭圆轨迹的振动和传播称为（）。
在高真空中，弧柱内外压力差和质点密度差（），弧柱内质点有很（）的扩散速度。
铝氧率决定了熟料中熔剂矿物（）与C4AF的比例，铝氧率高，熟料中（）多，则液相粘度增大，物料难烧；反之，液相中质点易于扩散，对（）形成有利，但烧结范围（），易结大块，不利于操作。
在晶体扩散模型中，（）和（）是最重要的两种扩散机制。
气体中带电质点的消失方式不包括（）A、带电质点的扩散B、大带电质点的复合C、带电质点受电场力的作用流入电极并中和电量D、带电质点的极化
填空题在晶体扩散模型中，（）和（）是最重要的两种扩散机制。
填空题玻璃分相的两种机理是（）机理和（）机理。前者分相时质点作（）扩散，分相速率（）；后者分相后具有（）结构，分相开始界面（）突变。
填空题铝氧率决定了熟料中熔剂矿物（）与C4AF的比例，铝氧率高，熟料中（）多，则液相粘度增大，物料难烧；反之，液相中质点易于扩散，对（）形成有利，但烧结范围（），易结大块，不利于操作。
填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火
填空题玻璃分相的两种机理是（）机理和（）机理。前者分相时质点作（）扩散，分相速率（），分相后具有（）结构。
判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A对B错
填空题一次性口令的实现机制主要有两种：（）和（）制。
填空题在高真空中，弧柱内外压力差和质点密度差（），弧柱内质点有很（）的扩散速度。
单选题金属体系或离子化合物体系等固体材料中质点扩散的主要机构是（）A间隙机构B空位机构C环易位机构D直接易位机构