判断题比活度越小, 即意味着该放射性同位素源的尺寸可以做得更小。A对B错

判断题
比活度越小, 即意味着该放射性同位素源的尺寸可以做得更小。
A

B


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

涡流检测中,点探头的尺寸应做得大一些,这样灵敏度高。() 此题为判断题(对,错)。

特征尺寸越小,单位面积内的晶体管集成度越高,电路工作速度越快,功耗越小。() 此题为判断题(对,错)。

吊钩开口度比原尺寸增加15%可以使用。()此题为判断题(对,错)。

正弦畸变率越小,意味着波形的失真度越好。() 此题为判断题(对,错)。

集成电路的集成度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有关,尺寸越小,集成度越高()。 此题为判断题(对,错)。

缺陷尺寸越小,声发射源的活度越弱。

强度一定的两种同位素源,若其放射性比活度值不同,则对放射性比活度值较高的源来说,其半衰期比放射性比活度值低的源长。

对不同种类的放射性同位素,高活度的同位素总是比低活度的同位素具有更高的辐射水平。

比活度越小, 即意味着该放射性同位素源的尺寸可以做得更小。

探伤时应考虑的γ射线源的主要特性是()A、能量B、放射性比活度C、半衰期和源尺寸D、以上都对

两个同位素活度相同,但比活度不同,对于比活度高的源来说,则()。A、尺寸较大B、尺寸较小C、线质硬D、半衰期较短

放射性同位素衰变常数越小,意味着该同位素半衰期越长。

强度一定的两种同位素源,若其放射性比活度值不同,则对于放射性比活度值较高的源来说,下面哪种叙述是不正确的()A、其半衰期比放射性比活度低的源短B、其外形尺寸比放射性活度低的源小C、其外形尺寸比放射性活度低的源大D、其能量比放射性活度低的源大

γ射线的波长仅决定于()。A、活度B、尺寸C、比活度D、能量

判断题涡流检测中,点探头的尺寸应做得大一些,这样灵敏度高。A对B错

判断题核素份额不明的混合源,按其危险度最大的核素分类,其总活度视为该核素的活度。A对B错

判断题放射性同位素衰变常数越小,意味着该同位素半衰期越长。A对B错

判断题在水解平衡时,pH越高,残留金属离子的活度越小。A对B错

判断题比活度(分)是指某一样品中该种核素的放射性活度和该种元素化学量的比值。A对B错

判断题波发生明显衍射需满足的条件是障碍物尺寸和波长相差不大或者比波长更小。A对B错

判断题放射性同位素的比活度越大,其辐射强度也就越大。A对B错

判断题零件的尺寸精度越高,通常零件的表面粗糙度值越小,则零件的尺寸精度应越高。表面粗糙度参数值相应取得越小。A对B错

判断题与Ir192相比,Se75放射性同位素的半衰期更短,因此其衰变常数λ也更小一些。A对B错

判断题比活度越小,即意味着该放射性同位素源的尺寸可以做得更小。A对B错

判断题对同一岩层来说油水粘度比越小,油水前缘上含水饱和度越小。A对B错

判断题可以采取增大焦距的办法使尺寸较大的源的照相几何不清晰度与尺寸较小的源完全一样。A对B错

判断题缺陷尺寸越小,声发射源的活度越弱。A对B错

判断题零件的尺寸公差等级越高,则该零件加工后表面粗糙度轮廓数值越小,由此可知,表面粗糙度要求很小的零件,则其尺寸公差亦必定很小。A对B错