刻蚀方法有哪些?() A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是
大部分真核生物的mRNA的3'端具有的结构是A．Poly AB．Poly TC．Poly UD．Poly GE．Poly C
反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
第一链合成所需的引物是（）A、Poly AB、Poly CC、Poly GD、Poly T
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A、多晶硅B、单晶硅C、铝硅铜合金D、铜
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅
（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A、刻蚀速率B、刻蚀深度C、移除速率D、刻蚀时间
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
下列哪种多聚氨基酸（poly-aa）在生理条件下易形成α-螺旋（）。A、poly-ValB、poly-GluC、poly-LysD、poly-ProE、poly-Ala
问答题哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体？
判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对B错
问答题在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？
问答题Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些？
问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
问答题何谓Spacer? Spacer蚀刻时要注意哪些地方？