单选题对高能X射线剂量建成区，描述正确的是（）。A一般使肿瘤位于建成区之前B一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前C肿瘤中心通过剂量最大点D最大剂量建成深度随射线能量增加而增加E最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面
单选题
对高能X射线剂量建成区，描述正确的是（）。
A
一般使肿瘤位于建成区之前
B
一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前
C
肿瘤中心通过剂量最大点
D
最大剂量建成深度随射线能量增加而增加
E
最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面
参考解析
解析：
高能X射线剂量建成区的产生原因是由于X线的指数衰减与X线在组织中产生的次级电子被组织吸收的复合结果。组织中吸收剂量的变化规律表现为：从体表开始，随深度增加，吸收剂量逐渐增大。因能量而异，在不同深度点，吸收剂量达到最大值，在此深度之后，吸收剂量逐渐减小。从体表到最大深度点的这一范围称为剂量建成区，最大剂量建成深度随射线能量增加而增加。
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高能电子束的PDD曲线可大致分为A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
对高能X射线剂量建成区，描述正确的是A、一般使肿瘤位于建成区之前B、一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前C、肿瘤中心通过剂量最大点D、最大剂量建成深度随射线能量增加而增加E、最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出，对于高能X(γ)射线A、能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B、能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C、能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D、能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E、能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
关于建成效应的描述，错误的是（）A、从表面到最大剂量深度区域成为建成区域B、对高能X射线，一般都有剂量建成区域存在C、剂量建成区内表面剂量不能为零D、高能次级电子数随深度增加而增加，导致建成区域内总吸收剂量随深度而增加E、高能X射线建成区深度随能量增加而增加
高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（）A、剂量建成区B、高剂量坪区C、剂量建成区和高剂量坪区D、高剂量坪区和剂量跌落区E、剂量跌落区和X射线污染区
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A、大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B、大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C、大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
关于剂量建成区形成的原因，错误的是（）A、高能X（γ）射线入射到人体或模体时，在体表或皮下产生高能次级电子B、虽然所产生的高能次级电子射程较短，但仍需穿过一定深度直至能量耗尽后停止C、在最大电子射程内高能次级电子产生的吸收剂量随组织深度增加而增加D、高能X（γ）射线随组织深度增加，产生的高能次级电子减少E、剂量建成区的形成实际是带电粒子能量沉积过程
有关TBI射线能量的选择，以下不正确的是（）A、原则上所有高能X（γ）线均能作全身照射B、TBI的剂量分布受组织侧向效应的影响C、TBI的剂量分布受组织剂量建成区的影响D、体中线与表浅部位间剂量的比值不随能量变化E、选择侧位照射技术，至少应用6MV以上的X射线
单选题关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
单选题由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（ ）。A能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
单选题对高能X射线剂量建成区，下列描述正确的是（ ）。A最大剂量建成深度随射线能量增加而增加B一般使肿瘤位于建成区之前C肿瘤中心通过剂量最大点D一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前E最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面
单选题高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）A剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区