不属于高能电子束百分深度剂量的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、X射线污染区E、剂量跌落区

不属于高能电子束百分深度剂量的是()

  • A、剂量建成区
  • B、低剂量坪区
  • C、高剂量坪区
  • D、X射线污染区
  • E、剂量跌落区

相关考题:

下列对高能电子束描述正确的是A、在组织中具有一定射程,射程与电子能量成正比B、与深部X线特点相同C、从体表到某一深度,剂量分布不均D、组织内等剂量曲线变化不明显E、骨、脂肪、肌肉等对电子束的吸收差别较大

高能电子线等剂量线分布的显著特点是A、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化B、随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化C、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化D、随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化E、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化

对高能电子束临床剂量学特点的结论,哪项是错误的?()A、电子穿射射程正比于电子能量B、可按公式E=3×d后+2MeV–3MeV,选取所需要的能量,式中E为电子束能量,d为肿瘤或靶区的后援深度C、同等剂量分布均匀,过最大剂量点后,剂量急剧下降,可保护病变后正常组织D、建成区剂量分布均匀,过最大剂量点后,剂量急剧下降,可保护变后正常射也E、高能电子束对表浅及偏位肿瘤的放疗具有独特的优越性

电子束的百分深度剂量随照射野增大而变化极小的条件是,照射野的执行与电子束射程比值()A、大于1B、等于1C、大于0.5D、等于0.5E、小于0.5

电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()A、电子束无明显建成效应B、电子束的皮肤剂量较高C、电子束的照射范围平坦D、电子束射程较短E、电子束容易被散射

硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A、高能X(γ)射线与低能X射线B、高能X(γ)射线与电子束C、低能X射线与电子束D、高能X射线E、低能X射线

高能电子束的高值等剂量曲线,随深度增加()A、按几何原理发散B、不变C、逐渐展宽D、逐渐内敛E、线性变化

关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。A、大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区B、大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区C、大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

X(γ)线、电子束混合照射的物理原理是()。A、电子束的较高皮肤剂量和X(γ)线的较高的深部剂量B、X(γ)较低的皮肤剂量和电子束的有效治疗漃、深度C、X(γ)线的指数吸收规律和电子束的相对剂量坪区D、电子束的有效治疗深度和X(γ)线的指数吸收规律E、电子束的有效射程

高能X线照射时组织填充一般是用于( )A、减轻皮肤反应B、提高百分深度剂量C、提高肿瘤(靶区)的百分深度剂量D、提高皮肤剂量E、代替组织补偿器

影响高能电子束百分深度剂量的因素有哪些?

高能电子束等剂量分布特点是什么?

电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()A、表面剂量增加B、最大剂量深度变深C、X射线污染增加D、剂量梯度变陡E、高能电子束较低能电子束变化显著

不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()A、剂量建成区B、高剂量坪区C、X射线污染区D、剂量跌落区E、指数衰减区

高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()A、随深度增加,等剂量线向外侧扩张B、电子束入射距离较远C、电子束入射能量较高D、电子束中包含一定数量的X射线E、电子束在其运动径迹上不易被散射

描述电子束百分深度剂量的参数不包括()A、DS(表面剂量)B、DX(韧致辐射剂量)C、Rr(剂量规定值深度)D、RP(射程)E、Dr(剂量规定值)

描述照射对电子束百分深度剂量的影响,正确的是()A、较高能量的电子束,照射野对百分深度剂量无影响B、较低能量的电子束,照射野对百分深度剂量无影响C、较低能量的电子束,较大照射野对百分深度剂量影响较大D、较高能量的电子束,较大照射野对百分深度剂量影响较大E、较高能量的电子束,较小照射野对百分深度剂量影响较大

关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、剂量跌落区E、X射线污染区

对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是( )A、入射面处曲线集中,随深度增加,逐渐散开,有较大的旁向散射B、曲线的曲度随深度、射野面积及能量变化而变化C、等剂量曲线(包括百分深度剂量曲线)只有对具体机器在具体条件下才有意义D、等剂量曲线表明,低值等剂量线向内收缩而高值等剂量线则呈膨胀趋势E、不论入射面是平的还是弯曲的,曲线中心部分与入射表面平行

根据电子束百分深度剂量随深度变化的规律,对于深度为1cm的靶区,电子能量应选择()。A、4MeVB、6MeVC、9MeVD、12MeVE、15MeV

单选题对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是( )A入射面处曲线集中,随深度增加,逐渐散开,有较大的旁向散射B曲线的曲度随深度、射野面积及能量变化而变化C等剂量曲线(包括百分深度剂量曲线)只有对具体机器在具体条件下才有意义D等剂量曲线表明,低值等剂量线向内收缩而高值等剂量线则呈膨胀趋势E不论入射面是平的还是弯曲的,曲线中心部分与入射表面平行

单选题高能X线照射时组织填充一般是用于( )A减轻皮肤反应B提高百分深度剂量C提高肿瘤(靶区)的百分深度剂量D提高皮肤剂量E代替组织补偿器

单选题高能电子线等剂量线分布的显著特点包括(  )。A随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化B随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化C随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化D随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化E随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化

单选题高能电子线等剂量线分布的显著特点是()。A随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化B随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化C随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化D随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化E随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化

单选题关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。A大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区B大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区C大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区D剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减E和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

单选题不属于高能电子束百分深度剂量的是()A剂量建成区B低剂量坪区C高剂量坪区DX射线污染区E剂量跌落区

单选题根据电子束百分深度剂量随深度变化的规律,对于深度为1cm的靶区,电子能量应选择()。A4MeVB6MeVC9MeVD12MeVE15MeV