高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（）A、剂量建成区B、高剂量坪区C、剂量建成区和高剂量坪区D、高剂量坪区和剂量跌落区E、剂量跌落区和X射线污染区
高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（）
- A、剂量建成区
- B、高剂量坪区
- C、剂量建成区和高剂量坪区
- D、高剂量坪区和剂量跌落区
- E、剂量跌落区和X射线污染区
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高能电子束的PDD曲线可大致分为A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出，对于高能X(γ)射线A、能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B、能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C、能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D、能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E、能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）A、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染减小
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A、大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B、大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C、大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确（ ）A、从表面到一定深度，剂量分布均匀B、能量高表面剂量低，能量低表面剂量高C、在一定深度之后，剂量下降快D、随能量增加，下降梯度变小E、剂量建成区比较窄并随能量增加而变化
单选题关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
单选题电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加（）。A表面剂量不变，高剂量坪区不变B表面剂量不变，高剂量坪区变宽C表面剂量增加，高剂量坪区变窄D表面剂量增加，高剂量坪区变宽E表面剂量减小，高剂量坪区变窄
单选题由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（ ）。A能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
单选题对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确？（）A表面剂量随能量的增加而增加B从表面到dmax为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加C从dmax得到d80（d85）为治疗区，剂量梯度变化较小DD80（d85）以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯E度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
单选题高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）A剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区