填空题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。

填空题
硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

硅光电池是利用光电效应原理制成的器件,下列表述正确的是A.硅光电池是把光能转变为电能的一种装置B.硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出C.逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关D.任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应

当光敏二极管受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流()。A、光电流随入射光强度的增加而减小B、光电流不随入射光强度的变化而改变C、光电流随入射光强度的变化而变化D、以上都不对

光电池处于零偏或负偏时,产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi,式中R为响应率,R值随入射光波长的不同而变化,对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长()A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙EgB、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg

光电效应中,光电流的强度与入射光的强度成()。

对于光电管的基本特性,下面说法正确的是()。A、当入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降。B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。C、在零偏压时,二极管和三极管都没有光电流输出。D、温度变化对光电管的光电流影响很小,而对暗电流影响很大。E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。

光电器件的温度特性可以是下列哪些元素与温度的关系()。A、入射辐射通量B、灵敏度C、暗电流D、光电流

光电器件的光谱特性是描述()之间的关系。A、光电流与电压B、光电流与光照C、灵敏度与入射波长D、灵敏度与调制频率

光电池是基于光生伏特效应制作的有源光电传感器,其()与光照度成线性关系,()与光照度成非线性关系。硅光电池的开路电压一般可达()。

硅光电池的光谱响应波长范围比锗光的光谱响应波长范围广。

光谱灵敏度为光电器件对单色辐射通量的反应与入射的单色辐射通量之比。

当稳压管在正常稳压工作时,其两端施加的外部电压的特点为()A、反向偏置但不击穿B、正向偏置但不击穿C、反向偏置且被击穿D、正向偏置且被击穿

判断题硅光电池是一种需要加偏置电压才能把光能转换成电能的PN结光电器件。A对B错

单选题以下关于“光电二极管与光电池不同之处”的叙述不正确的是()A它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较高,而光电二极管掺杂浓度低;B它们的电阻率不同,光电池的电阻率低;C工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而光电二极管通常在反向偏置下工作;D它们的光电流的大小不同,光电池的光电流小得多,通常在微安级。

填空题硅光电池的光电特性中,当()时,光电流在很大范围内与照度呈线性关系。

多选题光电池有()种类。A硅光电池B硒光电池C锗光电池D砷化镓光电池E锂光电池

单选题本征半导体样品两端数有电极,沿电极方向加油电场,当在垂直于电场方向有均匀光照入射到样品表面,且入射光通量恒定时,样品流出的光流称为()光电流。A动态B亮态C暗态D稳态

判断题弱辐射情况下,本征光电导与入射辐射通量成正比。A对B错

单选题硅光电池在()情况下有最大的电流输出。A开路B自偏置C零伏偏置D反向偏置

单选题热敏电阻与入射光的关系有:()A其响应取决于入射光辐射通量,与光照度无关;B其响应取决于光照度,与入射光辐射通量无关;C其响应取决于光照度,与入射光波长无关;D其响应取决于入射光辐射通量,与入射光波长无关。

单选题硅光电池在()情况下有最大的输出功率。A开路B自偏置C零伏偏置D反向偏置

判断题噪声等效功率是信噪比为1时,入射到探测器上的信号辐射通量。A对B错

填空题光敏二极管在测光电路中应处于()偏置状态,而光电池通常处于()偏置状态。

问答题硅光电池的内阻与哪些因素有关?在什么条件下硅光电池的输出功率最大?

单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。A恒流B自偏置C零伏偏置D反向偏置

单选题“光电二极管与光电池相比较,其特性有所不同,下列的说法不不正确的是()A它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较低,而光电二极管掺杂浓度高B它们的电阻率不同,光电池的电阻率低C工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而硅光电二极管通常在反向偏置下工作D它们的光电流的大小不同,硅光电二极管的光电流小得多,通常在微安级

单选题硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是()A恒流B自偏置C零伏偏置D反向偏置

单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射量有良好的线性关系,且动态范围较大。A恒流B自偏置C零伏偏置D反向偏置